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pro vyhledávání: '"Mörschbächer, Marcio José"'
Akademický článek
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Autor:
Godoy, Marcio P.F. de, Nakaema, Marcelo Kiyoshi Kian, Likawa, Fernando, Brasil, Maria José Santos Pompeu, Lopes, João Marcelo Jordão, Bortoleto, José Roberto Ribeiro, Cotta, Mônica Alonso, Paniago, Rogério Magalhães, Mörschbächer, Marcio José, Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
We investigated structural and optical properties of type-II InP/GaAs quantum dots using reflection high energy electron diffraction, transmission electron microscopy, atomic force microscopy, grazing incidence x-ray diffraction, and photoluminescenc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::f465c69bea5d300d7900d111f06d10a2
Autor:
Veloso, A.B., Nakaema, Marcelo Kiyoshi Kian, Godoy, Marcio P.F. de, Lopes, João Marcelo Jordão, Likawa, Fernando, Brasil, Maria José Santos Pompeu, Bortoleto, José Roberto Ribeiro, Cotta, Mônica Alonso, Fichtner, Paulo Fernando Papaleo, Mörschbächer, Marcio José, Madureira, J.R.
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
We investigated two stacked layers of InP/GaAs type-II quantum dots by transmission electron microscopy and optical spectroscopy. The results reveal that InP quantum dots formed in two quantum dot layers are more uniform than those from a single laye
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::fb717646d99b03837415e3eef38117f2
Autor:
Mörschbächer, Marcio José
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
O Si tensionado (sSi) é um material com propriedades de transporte eletrônico bastante superiores as do Si, sendo considerado como uma alternativa importante para a produção de dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semic
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/5783
