Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"Mémoires non volatiles"'
Autor:
Hamouda, Wassim
Publikováno v:
Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]. Université Paris-Saclay, 2022. English. ⟨NNT : 2022UPASP041⟩
Within the framework of the European H2020 3εFERRO project, coordinated by the CEA, we have used new HfO₂-based ferroelectric materials to develop a competitive and versatile FRAM technology for embedded non-volatile memory applications. The forma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3515::e38ea2010c2bff67981ed02acbb40a47
https://theses.hal.science/tel-04010782
https://theses.hal.science/tel-04010782
Autor:
Bouziane, Rabab
La consommation énergétique est devenue un défi majeur dans les domaines de l'informatique embarquée et haute performance. Différentes approches ont été étudiées pour résoudre ce problème, entre autres, la gestion du système pendant son e
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018REN1S073/document
Autor:
Zhang, Yu
La jonction magnétique à effet tunnel, noyau de la mémoire MRAM (magnetic random access memory), a suscité beaucoup d'intérêt pour les technologies de stockage et de traitement de l'information de faible puissance. Cette thèse se concentre sur
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018SACLS222/document
Autor:
Zhang, Yu
Publikováno v:
Classical Physics [physics.class-ph]. Université Paris Saclay (COmUE); Fert Beijing Institute, 2018. English. ⟨NNT : 2018SACLS222⟩
Magnetic tunnel junction (MTJ), the core of the magnetic random access memory (MRAM), have attracted intensive interest for low-power storage and information processing technologies. This thesis focuses on the discussion of the influence of edge effe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7b06a3a6d3644f0686a91638ed5d3a3c
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01869355/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01869355/document
Autor:
Nguyen, Clément
Les mémoires résistives à base d’oxyde OxRAM sont une technologie de mémoire non-volatile dite émergente, au même titre que les mémoires à changement de phase (PCRAM) ou les mémoires magnétorésistives (MRAM). A l’origine les OxRAM éta
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018GREAT035/document
Autor:
Nguyen, Clément
Publikováno v:
Energie électrique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT035⟩
Oxyde-based resistive memories OxRAM are a technology of emergent non-volatile memory, as phase-change memories (PCRAM) or magnetoresistive memories (MRAM). In the beginning OxRAM were very studied in order to compete with Flash memories, whose mecha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::d6c34b2792573d767f926895ba83d3e2
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01886863/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01886863/document
Autor:
Ngueya Wandji, Steve
Le marché des objets connectés sécurisés est en plein essor et nécessite des plateformes de développement faible consommation pour des applications sans contact dans des facteurs de forme réduits. La réduction du facteur de forme impacte l’
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017AIXM0586
Autor:
Minvielle, Marie
A l’ère du « big data » et de l’intelligence artificielle, les recherches pour trouver de nouvelles façons de stocker et traiter l’information se multiplient. Dans le domaine des mémoires non volatiles, cette émulation a conduit à l’é
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017LYSEC023
Autor:
Delobelle , Thibaud, Péneau , Pierre-Yves, senni , sophiane, Bruguier , Florent, Gamatié , Abdoulaye, Sassatelli , Gilles, Torres , Lionel
Publikováno v:
ComPAS: Conférence en Parallélisme, Architecture et Système
ComPAS: Conférence en Parallélisme, Architecture et Système, Jul 2016, Lorient, France
ComPAS'16
ComPAS: Conférence en Parallélisme, Architecture et Système, Jul 2016, Lorient, France. ComPAS'16, 2016, Compas’2016 : Parallélisme/ Architecture / Système. 〈http://compas2016.sciencesconf.org/〉
ComPAS: Conférence en Parallélisme, Architecture et Système, Jul 2016, Lorient, France
ComPAS'16
ComPAS: Conférence en Parallélisme, Architecture et Système, Jul 2016, Lorient, France. ComPAS'16, 2016, Compas’2016 : Parallélisme/ Architecture / Système. 〈http://compas2016.sciencesconf.org/〉
International audience; Dans cet article, nous présentons, à travers une combinaison judicieuse d’outils, la mise en œuvre d’un flot automatique d’évaluation pour l’exploration d’architectures permettant d’étudier les variations en s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::51e6738823dab21fafe0c05526c568d5
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-01345975
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-01345975
Autor:
Kiouseloglou, Athanasios
Les mémoires à base de semi-conducteur sont indispensables pour les dispositifs électroniques actuels. La demande croissante pour des dispositifs mémoires fortement miniaturisées a entraîné le développement de mémoires non volatiles fiables
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015GREAT128/document