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pro vyhledávání: '"Mémoire à changement de phase"'
Autor:
Serra, Anna Lisa
Publikováno v:
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes [2020-..], 2021. English. ⟨NNT : 2021GRALT030⟩
In a world transitioning to the digital era, the necessity to store a large amount of information in a limited space is becoming crucial. Therefore, the device down-scaling and the consequent increase in the memory density are highly relevant. The mo
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ffec2a4c55c8c247e6bd14bc2a3c0d7c
https://theses.hal.science/tel-03527519
https://theses.hal.science/tel-03527519
Autor:
Nguyen, Huu tan
Les matériaux à changement de phase (PCM) sont utilisés pour la réalisation de mémoire non volatile. Ces matériaux possèdent la particularité de passer d’un état cristallin à un état amorphe à l’aide d’une impulsion de chaleur, cré
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015BORD0112/document
Autor:
Nguyen, Huu tan
Publikováno v:
Other. Université de Bordeaux; Università degli studi di Milano-Bicocca, 2015. English. ⟨NNT : 2015BORD0112⟩
Phase change memories (PCM) are typically based on compounds of the Ge-Sb-Te (GST) ternary system. Nevertheless, a major drawback of PCM devices is the failure to fulfill automotive-level or military-grade requirements (125°C continuous operation),
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::013731622fef6168c5b21ec1a845e93c
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01387536
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01387536
Autor:
Schick, Vincent
Les mémoires à changement de phase (PRAM) développées par l’industrie de la microélectronique utilisent la capacité d’un materiau chalcogénure à passer rapidement et de façon réversible d’une phase amorphe à une phase cristalline. Le
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2011BOR14280/document
Autor:
Lama, Giusy
Publikováno v:
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes [2020-..], 2022. English. ⟨NNT : 2022GRALT108⟩
The amount of data generated is increasing exponentially in the last years and is expected to reach 175 Zettabytes by 2025 [1]. This data explosion is pushing memory technologies to their performance and density limits. The access and writing speed o
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3515::4ce512c5354bfd15ab974b092ea74dc3
https://theses.hal.science/tel-04052655
https://theses.hal.science/tel-04052655
Autor:
Canvel, Yann
Publikováno v:
Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]. Université Grenoble Alpes [2020-..], 2020. Français. ⟨NNT : 2020GRALY017⟩
Memories have gained a lot of influence through these last years and are present in all electronic systems used in our daily life. To address the limitations of the traditional memory technologies, many industries are dedicating their researches to t
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::954436348c3220452c9aa7d8c375723d
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03100408/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03100408/document
Autor:
Garbin, Daniele
Le cerveau humain est composé d’un grand nombre de réseaux neuraux interconnectés, dont les neurones et les synapses en sont les briques constitutives. Caractérisé par une faible consommation de puissance, de quelques Watts seulement, le cerve
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http://www.theses.fr/2015GREAT133/document
Autor:
Vigouroux, Mathieu Pierre
La diffraction électronique en mode précession (PED) est une méthode récente d’acquisition de clichésde diffraction permettant de minimiser les interactions dynamiques. L’objectif de cette thèse est dedévelopper une méthodologie d’acqui
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http://www.theses.fr/2015GREAY012/document