Zobrazeno 1 - 10
of 40
pro vyhledávání: '"Mähne, H."'
Autor:
Hanzig, F., Mähne, H., Veselý, J., Wylezich, H., Slesazeck, S., Leuteritz, A., Zschornak, M., Motylenko, M., Klemm, V., Mikolajick, T., Rafaja, D.
Publikováno v:
In Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena July 2015 202:122-127
Autor:
Mähne, H., Berger, L., Martin, D., Klemm, V., Slesazeck, S., Jakschik, S., Rafaja, D., Mikolajick, T.
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2012 72:73-77
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(7):1148-1151
Autor:
Berger, L.1, Mähne, H.2, Klemm, V.1, Leuteritz, A.1, Mikolajick, T., Rafaja, D.1 rafaja@ww.tu-freiberg.de
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. Aug2012, Vol. 108 Issue 2, p431-437. 7p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wylezich, H., Mähne, H., Heinrich, A., Slesazeck, S., Rensberg, J., Ronning, C., Zahn, P., Mikolajick, T.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B 33(2015)1, 01A105
Resistive switching devices with Nb2O5 as a switching layer are treated with argon ion irradiation, which generates defects in the oxide layer that support the electroforming step. To distinguish between the effects of layer thinning by sputtering an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::aab95acfeace328ec86ecb0273f42823
https://www.hzdr.de/publications/Publ-20965-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-20965-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACS Applied Materials and Interfaces 6(2014)20, 17474-17480
Summarizing, metal-insulator-metal devices consisting of one insulating Nb2O5 layer were irradiated with krypton ions to form a metallic NbOx sublayer in order to introduce threshold switching. Two effects were identified that induce this metallic Nb
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::61caa38451ae3ae8a74b0d7db4cbd373
https://www.hzdr.de/publications/Publ-20152-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-20152-1