Zobrazeno 1 - 10
of 271
pro vyhledávání: '"M, Fiederle"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Instrumentation. 18:P05042
Nowadays, the detection of backscatter X-rays has become an essential part of road security scanners, where individuals are at risk of an accidental exposure to the pulsed photon radiation fields generated by the devices that implement this technique
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1deb6a46e040688586826b25385299b7
https://doi.org/10.1088/1748-0221/18/05/p05042
https://doi.org/10.1088/1748-0221/18/05/p05042
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Duffar, T. *, Dusserre, P., Giacometti, N., M. Fiederle, Benz, Launay, J.C., Dieguez, E., Roosen, G.
Publikováno v:
In Acta Astronautica 2001 48(2):157-161
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A, Seiler, P, Piekarz, S, Ibrahimkutty, D G, Merkel, O, Waller, R, Pradip, A I, Chumakov, R, Rüffer, T, Baumbach, K, Parlinski, M, Fiederle, S, Stankov
Publikováno v:
Physical review letters. 117(27)
We report a systematic lattice dynamics study of EuSi_{2} films and nanoislands by in situ nuclear inelastic scattering on ^{151}Eu and ab initio theory. The Eu-partial phonon density of states of the nanoislands exhibits anomalous excess of phonon s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::02d5c352b799e62c996f16bda47c5182
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28084777
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/28084777
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 39:4616-4620
The growth of AlN on c-plane sapphire substrates is reported for a growth temperature of 1100 °C in a radio frequency plasma assisted molecular beam epitaxy system. The high growth temperature in combination with Al-rich growth conditions resulted i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::54b86576c6d5a2e68a981f902abd47c5
https://doi.org/10.1088/0022-3727/39/21/017
https://doi.org/10.1088/0022-3727/39/21/017
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.