Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Lv Yegang"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Advantages of Mo4.9(Sb2Te)95.1 film with improved crystallization properties for phase change memory
Publikováno v:
In Materials Letters 15 December 2015 161:240-243
Autor:
Lv Yegang, Xiang Shen, Tiefeng Xu, Guoxiang Wang, Shixun Dai, Jing Fu, Liangcai Wu, Rongping Wang, Qiuhua Nie
Publikováno v:
Materials Letters. 87:135-138
The thermal and electrical properties of Zn1.25Sb2Te3 film have been investigated for phase change memory (PCM) applications. Compared with the conventional Ge2Sb2Te5, Zn1.25Sb2Te3 film exhibits a higher crystallization temperature (∼200 °C), grea
Autor:
Lv Yegang, Dongning Yao, Yifeng Gu, Sannian Song, Liangcai Wu, Bo Liu, Cheng Peng, Zhitang Song, Lina Gao, Zhonghua Zhang
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters
A phase change memory (PCM) cell with atomic layer deposition titanium dioxide bottom heating layer is investigated. The crystalline titanium dioxide heating layer promotes the temperature rise in the AlSb3Te layer which causes the reduction in the r
Autor:
Wang, Guoxiang, Nie, Qiuhua, Shen, Xiang, Wang, Rongping, Wu, Liangcai, Lv, Yegang, Fu, Jing, Xu, Tiefeng, Dai, Shixun
Publikováno v:
In Materials Letters 15 November 2012 87:135-138
Autor:
Guoxiang Wang, Shixun Dai, Jun Li, Qiuhua Nie, Rongping Wang, Liangcai Wu, Xiang Shen, Jing Fu, Fen Chen, Lv Yegang
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 45:375302
Al x (Ge2Sb2Te5)100−x materials with different Al contents are systemically studied for applications in phase-change random access memory (PRAM) devices. Al-doped Ge2Sb2Te5 (GST) films show better thermal stability than GST because they do not have
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wang, Guoxiang1 wodehaiyang88@126.com, Nie, Qiuhua1,2, Shen, Xiang2, Wang, Rongping3, Wu, Liangcai4, Lv, Yegang4, Fu, Jing2, Xu, Tiefeng2, Dai, Shixun2
Publikováno v:
Materials Letters. Nov2012, Vol. 87, p135-138. 4p.