Zobrazeno 1 - 10
of 605
pro vyhledávání: '"Lutz, P. J."'
Spin-$\frac{1}{2}$ $^{119}$Sn nuclei in a silicon semiconductor could make excellent qubits. Nuclear spins in silicon are known to have long coherence times. Tin is isoelectronic with silicon, so we expect electrons can easily shuttle from one Sn ato
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.06285
Autor:
Valdivia-Berroeta, Gabriel A., Zaccardi, Zachary B., Pettit, Sydney K. F., Ho, Sin-Hang, Palmer, Bruce Wayne, Lutz, Matthew J., Rader, Claire, Hunter, Brittan P., Green, Natalie K., Barlow, Connor, Wayment, Coriantumr Z., Harmon, Daisy J., Petersen, Paige, Smith, Stacey J., Michaelis, David J., Johnson, Jeremy A.
We demonstrate a data mining approach to discover and develop new organic nonlinear optical crystals that produce intense pulses of terahertz radiation. We mine the Cambridge Structural Database for non-centrosymmetric materials and use this structur
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2109.04929
Autor:
Zaccardi, Zachary B., Tangen, Isaac C., Valdivia-Berroeta, Gabriel A., Bahr, Charles B., Kenney, Karissa C., Rader, Claire, Lutz, Matthew J., Hunter, Brittan P., Michaelis, David J., Johnson, Jeremy A.
The organic terahertz (THz) generation crystal BNA has recently gained traction as a valuable source to produce broadband THz pulses. Even when pumped with 800-nm light, thin BNA crystals can produce relatively high electric fields with frequency com
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2010.02380
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 97, 115108 (2018)
Valence excitation spectra are computed for all deep-center silicon-vacancy defect types in 3C, 4H, and 6H silicon carbide (SiC) and comparisons are made with literature photoluminescence measurements. Nuclear geometries surrounding the defect center
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1709.07075
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.