Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Lutsenko, Evgenii V."'
Autor:
Zubialevich, Vitaly Z., Rzheutski, Mikalai V., Li, Haoning, Sadler, Thomas C., Alam, Shahab N., Bhardwaj, Vipul, Lutsenko, Evgenii V., Yablonskii, Gennadii P., Parbrook, Peter J.
Publikováno v:
In Journal of Luminescence February 2018 194:797-802
Autor:
Kryzhanovskaya, Natalia V., Moiseev, Eduard I., Nadtochiy, Alexey M., Melnichenko, Ivan A., Fominykh, Nikita A., Ivanov, Konstantin A., Komarov, Sergey D., Makhov, Ivan S., Lutsenko, Evgenii V., Vainilovich, Aliaksei G., Nahorny, Aliaksei V., Zhukov, Alexey E.
Publikováno v:
IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics; 2025, Vol. 31 Issue: 2 p1-12, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mauder, Christof, Rahimzadeh Khoshroo, Lars, Chou, Mitch M. C., Heuken, Michael, Kalisch, Holger, Jansen, Rolf H., Behmenburg, Hannes, Wen, Tzu-Chi, Dikme, Yilmaz, Rzheutskii, Mikalai, Lutsenko, Evgenii V., Yablonskii, Gennadii P., Kharchenko, Alexander, Woitok, Joachim F.
Publikováno v:
Aachen : Publikationsserver der RWTH Aachen University 5 S. (2009).
We deposited pure m-plane GaN (1-100) layers on LiAlO2 (100) substrates by MOVPE using Mg-doped InGaN buffer layers of various thickness. These sealing layers are grown under nitrogen ambient and help to improve the film coalescence while reducing th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______791::c8ddc446da077c41d7fdb273288c30d0
https://publications.rwth-aachen.de/record/50887
https://publications.rwth-aachen.de/record/50887
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.