Zobrazeno 1 - 10 of 91 pro vyhledávání: '"Luquet, H."'
1
Akademický článek
Noise equivalent power calculation: Application to Ga0.96Al0.04Sb avalanche photodiodes.
Autor: Luquet, H., Gouskov, L., Pérotin, M., Jean, A., Magallon, D., Lahbabi, M., Bougnot, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/1/1988, Vol. 64 Issue 11, p6541, 5p, 2 Charts, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Liquid-phase-epitaxial growth of Ga0.96Al0.04Sb[ATOTHER]@B:[/ATOTHER]Electrical and photoelectrical characterizations.
Autor: Luquet, H., Gouskov, L., Perotin, M., Jean, A., Rjeb, A., Zarouri, T., Bougnot, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/1986, Vol. 60 Issue 10, p3582, 10p, 2 Black and White Photographs, 2 Diagrams, 4 Charts, 17 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Gold/Ga0.85Al0.15Sb Schottky diodes.
Autor: Gouskov, L., Boustani, M., Luquet, H., Bougnot, G., Bastide, L., Baya’a, D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1985, Vol. 58 Issue 8, p3211, 6p, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Electron diffusion lengths in p-type InP involved in indium tin oxide/p-InP solar cells.
Autor: Gouskov, L., Luquet, H., Soonckindt, L., Oemry, A., Boustani, M., Nguyen, P. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Oct1982, Vol. 53 Issue 10, p7014-7019, 6p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Near-infrared electroabsorption in p+/n-/n+ GaSb diodes.
Autor: Gouskov, L., Pérotin, M., Almuneau, G., Luquet, H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1996, Vol. 79 Issue 1, p49, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Dependence of impact ionization coefficients on electric-field profile and injection mode approximations.
Autor: Luquet, H., Gouskov, L., Pérotin, M., Karim, M., Rmou, A., Mottet, S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1993, Vol. 74 Issue 1, p635, 4p, 2 Diagrams, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Be+ ion implantation in Ga0.96Al0.04Sb epitaxial layers.
Autor: Pérotin, M., Gouskov, L., Luquet, H., Abiale Abi, P., Sabir, A., Pérez, A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1990, Vol. 68 Issue 8, p3856, 5p, 2 Charts, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Ionization coefficients in Ga0.96Al0.04Sb.
Autor: Luquet, H., Pérotin, M., Gouskov, L., Llinares, C., Archidi, H., Lahbabi, M., Karim, M., Mbow, B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1990, Vol. 68 Issue 8, p3861, 4p, 1 Chart, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Ga0.96Al0.04Sb Implanted Avalanche Photodiode; Perspective for a 2.55 μm SAM APD Photodetector.
Autor: Perotin, M., Luquet, H., Gouskov, L., Abiale-Abi, P., Archidi, H., Lahbabi, M., Mbow, B., Perez, A.
Publikováno v: ESSDERC '89: 19th European Solid State Device Research Conference; 1989, p393-396, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Conference
GaSb and GaInAsSb Photodetectors for λ ≫ 1.55 μm Prepared by Metal Organic Chemical Vapor Deposition.
Autor: Bougnot, G., Pascal, F., Roumanille, F., Bougnot, J., Gouskov, L., Delannoy, F., Grosse, P., Luquet, H.
Publikováno v: ESSDERC '88: 18th European Solid State Device Research Conference; 1988, pc4-c336, 663p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje