Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"Luong Tien Tung"'
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability April 2018 83:286-292
Autor:
Nagarajan, Venkatesan, Chen, Kun-Ming, Chen, Bo-Yuan, Huang, Guo-Wei, Chuang, Chia-Wei, Lin, Chuang-Ju, Anandan, Deepak, Wu, Chai-Hsun, Han, Ping-Cheng, Singh, Sankalp Kumar, Luong, Tien-Tung, Chang, Edward Yi
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device & Materials Reliability; Jun2020, Vol. 20 Issue 2, p436-441, 6p
Autor:
Chang, Shane, Zhao, Ming, Spampinato, Valentina, Franquet, Alexis, Do, Thi-Hien, Uedono, Akira, Luong, Tien Tung, Wang, Tsang-Hsuan, Chang, Li
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2020, Vol. 217 Issue 7, p1-6, 6p
Autor:
Luong,Tien-Tung, 呂憲中
103
In recent years High Electron Mobility Transistors (HEMTs) based on the nitride material system have successfully proven their potential as high-power and high frequency devices. While nitride-based HEMTs have been available in the commercia
In recent years High Electron Mobility Transistors (HEMTs) based on the nitride material system have successfully proven their potential as high-power and high frequency devices. While nitride-based HEMTs have been available in the commercia
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/14348683157984089184
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tran, Binh-Tinh, Chang, Edward-Yi, Trinh, Hai-Dang, Lee, Ching-Ting, Sahoo, Kartika Chandra, Lin, Kung-Liang, Huang, Man-Chi, Yu, Hung-Wei, Luong, Tien-Tung, Chung, Chen-Chen, Nguyen, Chi-Lang
Publikováno v:
In Solar Energy Materials and Solar Cells July 2012 102:208-211
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 187:012021
The photoluminescence (PL) of high quality GaN epitaxial layer grown by MOCVD was investigated for various excitation power and temperatures from 8.3 to 300K. The PL at 8.3 K and with relatively low excitation power of GaN film grown on c-plane sapph
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f0ebce3ad5081ff593c9c75d2007f111
https://doi.org/10.1088/1742-6596/187/1/012021
https://doi.org/10.1088/1742-6596/187/1/012021