Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Luo Wei-Ke"'
Autor:
罗伟科 Luo Wei-Ke, 董逊 Dong Xun, 李忠辉 Li Zhong-hui, 李亮 Li Liang, 张东国 Zhang Dong-Guo, 彭大青 Peng Da-Qing
Publikováno v:
Chinese Journal of Luminescence. 34:1500-1504
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhang Dongguo, Dong Xun, Luo Wei-Ke, Yang Qian-Kun, Li Liang, LI Zhong-Hui, Peng Daqing, Li Chuan-Hao, Pan Lei, Zhou Jianjun
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 66:106101
Free-standing GaN is generally regarded as an ideal substrate for GaN-based devices due to its advantage of low threading dislocation density (TDD) and good thermal conductivity. However, new surface features such as hillocks and ridges appear on the
Autor:
Luo Wei-Ke, Han Tong, Zhang Guo-Yi, Yang Zhi-Jian, John Goldsmith, Tao Yuebin, Wu Jie-Jun, Du Yan-Hao, Yu Tong-Jun
Publikováno v:
Chinese Physics B. 20:098101
Two strain-state samples of GaN, labelled the strain-relief sample and the quality-improved sample, were grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE), and then characterized by high-resolution X-ray diffraction, photoluminescence and optical microsco
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Materials Research; March 2014, Vol. 904 Issue: 1 p29-32, 4p
Publikováno v:
Advanced Materials Research; September 2013, Vol. 805 Issue: 1 p1035-1038, 4p
Publikováno v:
Advanced Materials Research; September 2013, Vol. 805 Issue: 1 p1027-1030, 4p