Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"Luniov, S. V."'
Publikováno v:
Condens. Matter Phys., 2019, vol. 22, No. 1, 13702
Temperature dependencies for concentration and the Hall mobility of electrons for the $\textit{n}$-$\text{Ge} \langle \text{Sb}\rangle$ and \linebreak $\textit{n}$-$\text{Ge} \langle \text{Sb, Au}\rangle$ single crystals uniaxially deformed along the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.11496
Autor:
Luniov, S. V.1 (AUTHOR) luniovser@ukr.net, Khvyshchun, M. V.2 (AUTHOR), Zakharchuk, D. A.1 (AUTHOR), Maslyuk, V. T.3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena. Sep/Oct2023, Vol. 178 Issue 9/10, p1073-1080. 8p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Features of Radiation-Defect Annealing in n-Ge Single Crystals Irradiated with High-Energy Electrons
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 2 (2019); 151
Український фізичний журнал; Том 64 № 2 (2019); 151
Український фізичний журнал; Том 64 № 2 (2019); 151
Дослiджено iзотермiчний вiдпал опромiнених потоком електронiв Φ = 5 · 1015 см−2 з енергiєю 10 МеВ монокристалiв n-Ge. На основi одержаних температ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn20710194::5cce95ed94a6208aea782c6b54b23f22
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/59
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/59
Autor:
Luniov, S. V.1 (AUTHOR) luniovser@mail.ru, Zimych, A. I.1 (AUTHOR), Nazarchuk, P. F.1 (AUTHOR), Maslyuk, V. T.2 (AUTHOR), Megela, I. G.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena. Nov/Dec2016, Vol. 171 Issue 11/12, p855-868. 14p.
Publikováno v:
Surface Engineering & Applied Electrochemistry; Mar2021, Vol. 57 Issue 2, p222-227, 6p
Autor:
Luniov, S. V.
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 7, № 1 (2010); 11-14
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 1 (2010); 11-14
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 1 (2010); 11-14
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 1 (2010); 11-14
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 1 (2010); 11-14
Досліджено вплив одновісної пружної деформації на зміну рухливості носіїв струму в кристалах n Si з глибоким енергетичним рівнем 0,17 c E еВ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::f2dbc85a57161035c0481f04f5d9f7dc
http://semst.onu.edu.ua/article/view/113980
http://semst.onu.edu.ua/article/view/113980
Publikováno v:
Journal of Physical Studies. 2013, Vol. 17 Issue 3, p1-5. 5p.
Autor:
Luniov, S. V.1, Fedosov, S. A.2
Publikováno v:
Journal of Physical Studies. 2011, Vol. 15 Issue 2, p2705:1-2705:4. 4p.
Autor:
Luniov, S. V.
Publikováno v:
Journal of Nano- & Electronic Physics; 2019, Vol. 11 Issue 2, p1-6, 6p