Zobrazeno 1 - 10
of 260
pro vyhledávání: '"Lundin, W.V."'
Publikováno v:
In Journal of Luminescence June 2021 234
Autor:
Lundin, W.V., Rodin, S.N., Zavarin, E.E., Sakharov, A.V., Zakheim, D.A., Nikolaev, A.E., Tsatsulnikov, A.F.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 December 2020 551
Autor:
Lundin, W.V., Zavarin, E.E., Sakharov, A.V., Zakheim, D.A., Davydov, V.Yu., Smirnov, A.N., Eliseyev, I.A., Yagovkina, M.A., Brunkov, P.N., Lundina, E.Yu., Markov, L.K., Tsatsulnikov, A.F.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 December 2018 504:1-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lundin, W.V., Nikolaev, A.E., Yagovkina, M.A., Brunkov, P.N., Rozhavskaya, M.M., Ber, B.Ya., Kazantsev, D.Yu., Tsatsulnikov, A.F., Lobanova, A.V., Talalaev, R.A.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 August 2012 352(1):209-213
Autor:
Lundin, W.V., Nikolaev, A.E., Sakharov, A.V., Zavarin, E.E., Valkovskiy, G.A., Yagovkina, M.A., Usov, S.O., Kryzhanovskaya, N.V., Sizov, V.S., Brunkov, P.N., Zakgeim, A.L., Cherniakov, A.E., Cherkashin, N.A., Hytch, M.J., Yakovlev, E.V., Bazarevskiy, D.S., Rozhavskaya, M.M., Tsatsulnikov, A.F.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2011 315(1):267-271
Autor:
Yakovlev, E.V., Talalaev, R.A., Segal, A.S., Lobanova, A.V., Lundin, W.V., Zavarin, E.E., Sinitsyn, M.A., Tsatsulnikov, A.F., Nikolaev, A.E.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2008 310(23):4862-4866
Autor:
Sakharov, A.V., Lundin, W.V., Zavarin, E.E., Sinitsyn, M.A., Nikolaev, A.E., Lundina, E.Yu., Tsatsulnikov, A.F.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2008 310(23):5151-5153
Autor:
null Shibing Long, null Haiding Sun, null Talalaev R.A., null Bogdanov M.V., null Lobanova A.V., null Tsatsulnikov A.F., null Sakharov A.V., null Rodin S.N., null Lundin W.V.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:81
Study of Ga2O3 deposition by MOVPE using trimethylgallium and oxygen was performed in a wide temperature range. It was found that for Ga2O3 deposition rate vs temperature dependence is very close to the TMGa pyrolysis in nitrogen. Kinetically-limited
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dd2ee8f40956475f3bb96ff1d322dd84
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.02.53585.19081
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.02.53585.19081
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.