Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Luchkevych, M. M."'
Autor:
Babich, V. I.1 babich@isp.kiev.ua, Luchkevych, M. M.2,3 lab_mtme@drohobych.net, Tsmots, V. M.3
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2010, Vol. 13 Issue 4, p384-388. 5p.
Autor:
Babych, V. M.1 babich@isp.kiev.ua, Luchkevych, M. M.2,3, Pavlovskyy, Yu. V.2,3, Tsmots, V. M.3
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2008, Vol. 11 Issue 3, p226-229. 4p. 1 Chart, 4 Graphs.
Autor:
Tsmots, V. M., Litovchenko, P. G., Pavlovskyy, Yu. V., Litovchenko, O. P., Pankiv, I. S., Luchkevych, M. M.
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 6, № 3 (2009); 66-69
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 6, № 3 (2009); 66-69
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 6, № 3 (2009); 66-69
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 6, № 3 (2009); 66-69
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 6, № 3 (2009); 66-69
Dependence of paramagnetic component of silicon magnetic susceptibility on pre-irradiation by fast neutrons (fn) after subsequent thermal treatment of samples at 700-1000 î Ñ has been studied. It has been shown based on the measurements of magnetic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::c33a4e0c36fa3c1519a115f7a49d1b15
http://semst.onu.edu.ua/article/view/115947
http://semst.onu.edu.ua/article/view/115947
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.