Zobrazeno 1 - 10
of 66
pro vyhledávání: '"Lu, Hongxi"'
Publikováno v:
In Optical Materials August 2019 94:237-240
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu, Lei, Yang, Chao, Yu, Zhiguo, Yan, Faguang, Wang, Kaiyou, Lu, Hongxi, Li, Jinmin, Zhao, Lixia
Photodetectors for the ultraviolet (UV) range of the electromagnetic spectrum are in great demand for several technologies, but require the development of novel device structures and materials. Here we report on the high detectivity of UV photodetect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::7c5101e406ac1e75b3785b553e6dad8e
https://nottingham-repository.worktribe.com/file/852199/1/Nanoscale_2017_Accepted.pdf
https://nottingham-repository.worktribe.com/file/852199/1/Nanoscale_2017_Accepted.pdf
Autor:
Zhang Lian, Zhang Yun, Huang Yuliang, Wang Junxi, Cheng Zhe, Ai Yujie, Zhao Yongbing, Lu Hongxi, Li Jinmin
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 37:114002
We report a selective area growth (SAG) method to define the p-GaN gate of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) by metal-organic chemical vapor deposition. Compared with Schottky gate HEMTs, the SAG p-GaN gate HEMTs show more positive
Autor:
Liu Lei, An Ping-Bo, Xi Xin, Wang Li, Yu Zhiguo, Zhao Lixia, Li Jinmin, Lu Hongxi, Wang Junxi
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 37:064015
The internal quantum efficiency (IQE) of the light-emitting diodes can be calculated by the ratio of the external quantum efficiency (EQE) and the light extraction efficiency (LEE). The EQE can be measured experimentally, but the LEE is difficult to
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ji Xiaoli, Liu Na, Guo Enqing, Liang Meng, Yi Xiaoyan, Wang Junxi, Si Zhao, Li Jinmin, Liu Zhiqiang, Feng Xiang-Xu, Lu Hongxi, Wei Xuecheng, Zhang Ning
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 35:024010
The advantages of the p-AlInGaN/GaN superlattices' (SLs) structure as an electron blocking layer (EBL) for InGaN blue light-emitting diodes (LEDs) were studied by experiment and APSYS simulation. Electroluminescence (EL) measurement results show that
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.