Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"Lu, Hao‐yang"'
Publikováno v:
In Journal of Chromatography B 15 August 2018 1092:506-514
Autor:
Lian-Hua CUI, Wei-Min ZHAN, Lu-Hao YANG, Shao-Ci WANG, Wen-Qi MA, Liang-Liang JIANG, Yan-Pei ZHANG, Jian-Ping YANG, Qing-Hua YANG
Publikováno v:
Acta Agronomica Sinica. 48:1312-1324
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9b075f3c7d497aeec45ab2b913971fb0
https://doi.org/10.3724/sp.j.1006.2022.13040
https://doi.org/10.3724/sp.j.1006.2022.13040
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Huang, Shan-qing, Li, Xiao-lin, Wang, Zhan-zhang, Lu, Hao-yang, Xiao, Tao, Ni, Xiao-jia, Liu, Shu-jing, Zhang, Ming, Shang, De-wei, Wen, Yu-guan
Publikováno v:
Journal of Analytical Methods in Chemistry; 4/7/2022, p1-9, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lu-Hao Yang, Yang-Hua Chang
Publikováno v:
2017 International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC).
In this study, the threshold voltage and breakdown voltage of a double-channel AlGaN/GaN HEMT is improved. Firstly, depletion mode (D-mode) is changed to enhancement mode (E-mode) by optimizing the depth of the recessed gate, the Al ratio in the AlGa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6f797d1c28506615ffab80362c55ee24
https://doi.org/10.1109/edssc.2017.8126471
https://doi.org/10.1109/edssc.2017.8126471