Zobrazeno 1 - 10
of 1 092
pro vyhledávání: '"Lu, HL"'
Publikováno v:
Human Immunology. 64:857-865
It has been reported that collagen II (CII) derived peptide CII263-272 induced T-cell activation via its amino acids responsible for T-cell receptor (TCR) recognition. The impact of substitution of the TCR contacting amino acids of CII263-272 on T-ce
Publikováno v:
Applied physics letters 92 (2008).
info:cnr-pdr/source/autori:Lu, HL; Scarel, G; Alia, M; Fanciulli, M; Ding, SJ; Zhang, DW/titolo:Spectroscopic ellipsometry study of thin NiO films grown on Si (100) by atomic layer deposition/doi:/rivista:Applied physics letters/anno:2008/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:92
info:cnr-pdr/source/autori:Lu, HL; Scarel, G; Alia, M; Fanciulli, M; Ding, SJ; Zhang, DW/titolo:Spectroscopic ellipsometry study of thin NiO films grown on Si (100) by atomic layer deposition/doi:/rivista:Applied physics letters/anno:2008/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:92
Thin NiO films are grown at 300 degrees C on Si (100) using atomic layer deposition. The dependence of annealing temperature on the optical properties of NiO films has been investigated using spectroscopic ellipsometry in the spectral region of 1.24-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::ff574a26a66823c6174fa22d2cc1f28c
https://publications.cnr.it/doc/2766
https://publications.cnr.it/doc/2766
Publikováno v:
Microelectronic engineering 85 (2008): 2425–2429.
info:cnr-pdr/source/autori:Lamperti, A; Spiga, S; Lu, HL; Wiemer, C; Perego, M; Cianci, E; Alia, M; Fanciulli, M/titolo:Study of the interfaces in resistive switching MID thin films deposited by both ALD and e-beam coupled with different electrodes (Si, Ni, Pt, W, TiN)/doi:/rivista:Microelectronic engineering/anno:2008/pagina_da:2425/pagina_a:2429/intervallo_pagine:2425–2429/volume:85
info:cnr-pdr/source/autori:Lamperti, A; Spiga, S; Lu, HL; Wiemer, C; Perego, M; Cianci, E; Alia, M; Fanciulli, M/titolo:Study of the interfaces in resistive switching MID thin films deposited by both ALD and e-beam coupled with different electrodes (Si, Ni, Pt, W, TiN)/doi:/rivista:Microelectronic engineering/anno:2008/pagina_da:2425/pagina_a:2429/intervallo_pagine:2425–2429/volume:85
Thin NiO films, included in a metal/resistive oxide/metal (MRM) stack, are receiving great interest, as they exhibit resistive switching when subjected to an external applied field, and can thus be implemented in a resistive random access memory (ReR
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::d5b5095b6ed4a624a63eb156e4c1cb68
http://www.cnr.it/prodotto/i/2741
http://www.cnr.it/prodotto/i/2741
Publikováno v:
Arthritis Research & Therapy. 5:98
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.