Zobrazeno 1 - 10
of 73
pro vyhledávání: '"Lu, Darsen D"'
Autor:
Le, Hoang-Hiep, Baig, Md. Aftab, Hong, Wei-Chen, Tsai, Cheng-Hsien, Yeh, Cheng-Jui, Liang, Fu-Xiang, Huang, I-Ting, Tsai, Wei-Tzu, Cheng, Ting-Yin, De, Sourav, Chen, Nan-Yow, Lee, Wen-Jay, Lin, Ing-Chao, Chang, Da-Wei, Lu, Darsen D.
This paper presents a simulation platform, namely CIMulator, for quantifying the efficacy of various synaptic devices in neuromorphic accelerators for different neural network architectures. Nonvolatile memory devices, such as resistive random-access
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2306.14649
This paper reports the impacts of temperature variation on the inference accuracy of pre-trained all-ferroelectric FinFET deep neural networks, along with plausible design techniques to abate these impacts. We adopted a pre-trained artificial neural
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2103.03111
In this paper we proclaim excellent variation control in Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$ based ferroelectric films obtained by germination of large ferroelectric domain via extended duration of thermal annealing. 10nm thick Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$ based
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2006.10691
Autor:
Lu, Darsen D., Dunga, Mohan V., Niknejad, Ali M., Hu, Chenming, Liang, Fu-Xiang, Hung, Wei-Chen, Lee, Jia-Wei, Hsu, Chun-Hsiang, Chiang, Meng-Hsueh
Compact device models play a significant role in connecting device technology and circuit design. BSIM-CMG and BSIM-IMG are industry standard compact models suited for the FinFET and UTBB technologies, respectively. Its surface potential based modeli
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2005.02580
Tri-gate ferroelectric FETs with Hf0.5Zr0.5O2 gate insulator for memory and neuromorphic applications are fabricated and characterized for multi-level operation. The conductance and threshold voltage exhibit highly linear and symmetric characteristic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2004.03903
Publikováno v:
In Solid State Electronics March 2023 201
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics October 2020 172
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.