Zobrazeno 1 - 10
of 383
pro vyhledávání: '"Low frequency noise (LFN)"'
Publikováno v:
Discover Nano, Vol 19, Iss 1, Pp 1-8 (2024)
Abstract The need for understanding the low-frequency noise (LFN) of metal oxide semiconductor thin-film transistors (TFTs) is increasing owing to the substantial effects of LFN in various circuit applications. A focal point of inquiry pertains to th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0019dfcdae4840cd97d7b071382f1251
Autor:
Wenyang Zhang, Li Lu, Chenfei Li, Weijie Jiang, Wenzhao Wang, Xingqiang Liu, Ablat Abliz, Da Wan
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 502-507 (2024)
Herein, highly stable nitrogen (N) doped amorphous indium gallium tin oxide (a-IGTO) thinfilm transistors (TFTs) are prepared and the effects of N-doping are investigated. Compared with undoped a-IGTO TFTs, a-IGTO TFTs with 6 min N plasma treatment e
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ab217a3f1a584abe87876197bfa4b30b
Autor:
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 338-344 (2024)
The low frequency drain noise-current characteristics of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) having fin structures only under the gate, while maintaining a planar structure in the access regions, are compared
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3856d928e0984a0bb473abe30dce2a50
Autor:
Wonjun Shin, Ji Ye Lee, Ryun‐Han Koo, Jangsaeng Kim, Jong‐Ho Lee, Sang Yeol Lee, Sung‐Tae Lee
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 2, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The presence of low‐frequency noise (LFN) in amorphous oxide semiconductor (AOS) thin‐film transistors (TFTs) is of utmost concern, prompting extensive investigations into the analysis of LFN. However, prior research endeavors have tende
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d5f21a7ab8574cf5b59cd0647d10dbe0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wonjun Shin, Jiyong Im, Ryun‐Han Koo, Jaehyeon Kim, Ki‐Ryun Kwon, Dongseok Kwon, Jae‐Joon Kim, Jong‐Ho Lee, Daewoong Kwon
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 10, Iss 15, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract With the recently increasing prevalence of deep learning, both academia and industry exhibit substantial interest in neuromorphic computing, which mimics the functional and structural features of the human brain. To realize neuromorphic comp
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/263178f362da468f8979b72ff04ea736
Autor:
Wonjun Shin, Jaehyeon Kim, Gyuweon Jung, Suyeon Ju, Sung‐Ho Park, Yujeong Jeong, Seongbin Hong, Ryun‐Han Koo, Yeongheon Yang, Jae‐Joon Kim, Seungwu Han, Jong‐Ho Lee
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 10, Iss 7, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Concerns about indoor and outdoor air quality, industrial gas leaks, and medical diagnostics are driving the demand for high‐performance gas sensors. Owing to their structural variety and large surface area, reducible metal oxides hold gre
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c2ca15ebf40f49cb9e8ec3e195477908
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.