Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Lou, Kaihua"'
Autor:
Zhang, Hanying, Zhao, Qianwen, Jiang, Baiqing, Wang, Yuan, Xie, Tunan, Lou, Kaihua, Xia, ChaoChao, Bi, C.
The discovery of spin-orbit torques (SOTs) generated through the spin Hall or Rashba effects provides an alternative write approach for magnetic random-access memory (MRAM), igniting the development of spin-orbitronics in recent years. Quantitative c
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2401.02967
Autor:
Zhao, Qianwen, Zhu, Yingmei, Zhang, Hanying, Jiang, Baiqing, Wang, Yuan, Xie, Tunan, Lou, Kaihua, Xia, ChaoChao, Yang, Hongxin, Bi, C.
The discoveries of two-dimensional ferromagnetism and magnetic semiconductors highly enrich the magnetic material family for constructing spin-based electronic devices but with an acknowledged challenge that the Curie temperature (Tc) is usually far
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.06204
Autor:
Zhao, Qianwen, Xia, ChaoChao, Zhang, Hanying, Jiang, Baiqing, Xie, Tunan, Lou, Kaihua, Bi, Chong
The discovery of ferromagnetism in two-dimensional (2D) monolayers has stimulated growing research interest in both spintronics and material science. However, these 2D ferromagnetic layers are mainly prepared through an incompatible approach for larg
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2302.00553
Autor:
Lou, Kaihua, Xie, Tunan, Zhao, Qianwen, Jiang, Baiqing, Xia, ChaoChao, Zhang, Hanying, Yao, Zhihong, Bi, Chong
Fabrication of perpendicularly magnetized ferromagnetic films on various buffer layers, especially on numerous newly discovered spin-orbit torque (SOT) materials to construct energy-efficient spin-orbitronic devices, is a long-standing challenge. Eve
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2208.14913
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 17, 064052 (2022)
Unidirectional magnetoresistance (UMR) in a ferromagnetic bilayer due to the spin Hall effects (SHEs) provides a facile means of probing in-plane magnetization to avoid complex magnetic tunnel junctions. However, the UMR signal is very weak and usual
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.04851
Autor:
Jiang, Baiqing, Wu, Dongyang, Zhao, Qianwen, Lou, Kaihua, Zhao, Yuelei, Zhou, Yan, Tian, C., Bi, Chong
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters (2021)
Write asymmetry, the significantly different write current for high-to-low and low-to-high resistance switching because of natural stochastic behaviors of magnetization, is a fundamental issue in magnetic random-access memory (MRAM). For high-perform
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2110.12116
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.