Zobrazeno 1 - 10
of 259
pro vyhledávání: '"Long-term reliability"'
Autor:
Tetsuyuki Ishii
Publikováno v:
Engineering Reports, Vol 6, Iss 11, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The purpose of this study is to investigate the annual degradation rates of photovoltaic (PV) systems composed of PV modules based on recent crystalline silicon (c‐Si) PV technologies. We investigated the annual degradation rates of four P
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b18f1221645f45b5b8db037a4b99a732
Autor:
Shin-Ichiro Hayashi, Keiji Wada
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 5, Pp 709-717 (2024)
This paper proposes a gate drive circuit with a condition monitoring function for detecting the gate oxide degradation in silicon carbide (SiC) metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Trapped charges in the gate oxide can ca
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/92b2b972cf7c4562a26e606ad6b3be03
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energies, Vol 16, Iss 18, p 6642 (2023)
This article presents research on modelling the operation of an independent electricity generation system consisting of a photovoltaic installation and energy storage in the form of electrochemical batteries (PV/BAT). The generation system was consid
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/87736c95a4c345a69a813c9da5b080a2
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 9643-9663 (2021)
This article focuses on failure modes and lifetime testing of IGBT modules being one of the most vulnerable components in power electronic converters. IGBT modules have already located themselves in the heart of many critical applications, such as au
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7d664cf98cf0480caee5b957a48893d1
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 1, p 190 (2023)
During long-term use, MEMS accelerometers will experience degradation, such as bias and scale factor changes. Bias of MEMS capacitive accelerometers usually comes from the mismatch of parasitic capacitance and sensitive capacitance. This paper focuse
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b9b0737dd38845249baba22bff68ae12
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fu-Hsing Chen, Chia-Lun Lee, Jui-Hung Chang, Wei-Sheng Liao, Chieh-An Lin, Chia-Wei Kuo, Chih-Lung Lin
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 7, Pp 116172-116178 (2019)
This work investigates the long-term behavior of photo thin-film transistors (TFTs) that are covered with color filters and based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) technology. Based on the electrical characteristics and the optical responses
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/420ec449a646436d87c7c91930658d28
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 18, p 5673 (2021)
Demand and need for the application of high voltage direct current (HVDC) are increasing because of high capacity and long-distance transmission. Research on polypropylene (PP) that can increase the operation temperature compared to existing insulati
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f9e58b2065d149239a3b4645bfe91b65