Zobrazeno 1 - 10
of 128
pro vyhledávání: '"Lomenzo, P. D."'
Autor:
Lancaster, Suzanne, Lomenzo, Patrick D, Engl, Moritz, Xu, Bohan, Mikolajick, Thomas, Schroeder, Uwe, Slesazeck, Stefan
Publikováno v:
Front. Nanotechnol., 17 August 2022
A measurement technique is presented to quantify the polarization loss in ferroelectric thin films as a function of delay time during the first 100s after switching. This technique can be used to investigate charge trapping in ferroelectric thin film
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.14593
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Guido, Roberto, Wang, Xuetao, Xu, Bohan, Alcala, Ruben, Mikolajick, Thomas, Schroeder, Uwe, Lomenzo, Patrick D.
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; August 2024, Vol. 16 Issue: 32 p42415-42425, 11p
Autor:
Xu, Bohan, Ganser, Richard, Holsgrove, Kristina M., Wang, Xuetao, Vishnumurthy, Pramoda, Mikolajick, Thomas, Schroeder, Uwe, Kersch, Alfred, Lomenzo, Patrick D.
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; 6/26/2024, Vol. 16 Issue 25, p32533-32542, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mikolajick, T., Schroeder, U., Lomenzo, P. D., Breyer, E. T., Mulaosmanovic, H., Hoffmann, M., Mittmann, T., Mehmood, F., Max, B., Slesazeck, S.
Ferroelectrics are theoretically an ideal solution for low write power nonvolatile memories. However, the complexity of ferroelectric perovskites has hindered the scaling of such devices to competitive feature sizes. The discovery of ferroelectricity
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A79686
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A79686/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A79686/attachment/ATT-0/