Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Lo Nardo, R."'
Autor:
Lo, C. C., Lo Nardo, R., Simmons, S., Weis, C. D., Tyryshkin, A. M., Meijer, Jan Berend, Rogalla, D., Lyon, S. A., Bokor, J., Schenkel, T., Morton, J. J. L.
We develop an efficient back gate for silicon-on-insulator (SOI) devices operating at cryogenic temperatures and measure the quadratic hyperfine Stark shift parameter of arsenic donors in isotopically purified 28Si-SOI layers using such structures. T
Externí odkaz:
https://ul.qucosa.de/id/qucosa%3A31858
https://ul.qucosa.de/api/qucosa%3A31858/attachment/ATT-0/
https://ul.qucosa.de/api/qucosa%3A31858/attachment/ATT-0/
Autor:
Lo Nardo, R
Spin properties of donor impurities in silicon have been investigated by electron spin resonance (ESR) techniques for more than sixty years. These studies gave us a contribution towards understanding some of the physics of doped semiconductor materia
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1064::a1ecaf1eac8a56585216641b8d2c3b61
https://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:29a0f336-82ce-4794-82fe-d7db2802ffc1
https://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:29a0f336-82ce-4794-82fe-d7db2802ffc1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.