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pro vyhledávání: '"Loïc Théolier"'
Autor:
Omar Chihani, Loïc Théolier, Alain Bensoussan, Pierre Bondue, Jean-Yves Deletage, André Durier, Eric Woirgard
Publikováno v:
Symposium de Génie Electrique
Symposium de Génie Electrique, Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France
HAL
Symposium de Génie Electrique, Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France
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International audience; Des vieillissements par palier de type HTRB et HTGB ont été menés sur des transistors HEMTs de puissance en GaN. Des variations de tension ou de température ont été effectuées afin de mieux comprendre l'effet de chaque
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::dcf56e237d64a815fa23e691688bcda6
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02981877
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02981877
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Des vieillissements sévères (cycles thermiques [-55 °C / +245 °C]) ont révélés des dégradations dans des substrats de puissance AMB Si3N4 cuivre nickel flash or. A l'issue de 2000 cycles thermiques, l'empreinte des motifs de métallisation de
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0a225f984a0e0d4f89efcd3ad121a871
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01361692
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01361692
Autor:
Francois Le Henaff, Stephane Azzopardi, Loïc Théolier, Jean-Yves Deletage, Eric Woirgard, Serge Bontemps, Julien Joguet
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Integrity of the power module is mainly provided by interconnections between the different components. Due to RoHS restrictions, conventional lead-based solders cannot be used anymore. New solutions of die-attach have been investigated such as transi
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::618b530ad0c1619319689c34b3458ac8
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065293
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Autor:
Fédia Baccar, Loïc Théolier, Stephane Azzopardi, Francois Le Henaff, Jean-Yves Deletage, Eric Woirgard
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SYMPOSIUM DE GÉNIE ELECTRIQUE (SGE'14)
SYMPOSIUM DE GÉNIE ELECTRIQUE (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. pp.1-7
SYMPOSIUM DE GÉNIE ELECTRIQUE (SGE'14)
SYMPOSIUM DE GÉNIE ELECTRIQUE (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. pp.1-7
Actuellement, les composants à semi-conducteur de puissance sont basés sur des structures volumineuses pour tenir la tension. Dans ce contexte, une nouvelle terminaison (Deep Trench termination - DT2) basée sur une tranchée remplie de BenzoCycloB
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::82e51b8bb84f8c5d760b3cdd48171814
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01017558
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01017558
Publikováno v:
European Journal of Electrical Engineering
European Journal of Electrical Engineering, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩
European Journal of Electrical Engineering, Lavoisier, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩
European Journal of Electrical Engineering, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩
European Journal of Electrical Engineering, Lavoisier, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩
Les composants actifs des convertisseurs de puissance empoyes pour la traction ferroviaire 1200 volts sont actuellement des IGBTs. Ceux-ci sont handicapes par leurs pertes en commutation et leur emballement thermique. L'utilisation de transistors MOS
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b4c6952b07aa05c2de6e217c6ad5600e
https://hal.science/hal-00991584/document
https://hal.science/hal-00991584/document
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::5f6eccdf5a00b67c053097c351fa32bd
https://hal.science/hal-01663005
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