Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"Liu Zike"'
Autor:
Peng, Dan, Qu, Gaoyi, Li, Haobo, Xie, Yangsha, Wu, Huan, Yu, Lele, Xie, Yizhi, Meng, Zaoyang, Liu, Zike, Peng, Na, Saniboere, Boyelayefa, Zhou, Bo
Publikováno v:
In Industrial Crops & Products 1 December 2024 221
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The positive-to-negative transition of spectral lag is an uncommon feature reported in a small number of GRBs. An application of such a feature has been made to constrain the critical quantum gravity energy ($E_{\rm QG}$) of the light photons under t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ca20199f292e9723f9b0234f4bd8b11a
http://arxiv.org/abs/2202.09999
http://arxiv.org/abs/2202.09999
Publikováno v:
Journal of Modern Transportation, Vol 26, Iss 3, Pp 173-178 (2018)
Gap exists in the interface of cement asphalt emulsion mortar and CRTS I track slab universally, which is more severe at four corners than other parts of the track slab. In this work, the temperature and elevation of CRTS I slab track with and withou
Publikováno v:
IOP Conference Series: Earth and Environmental Science. 371:042012
The purpose of this study was to elucidate the distribution of fine bubbles and coarse bubbles in the mortar system of cement-superfine slag powder mortar after multiple mixing of air-entraining agent and defoaming agent. The experimental study used
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 32:014010
In order to improve the light efficiency of the conventional GaN-based light-emitting diodes (LEDs), the indium tin oxide (ITO) film is introduced as the current spreading layer and the light anti-reflecting layer on the p-GaN surface. There is a big
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 31:114011
By using the wafer bonding technique and wet etching process, a wafer bonded thin film AlGaInP LED with wet etched n-AlGaInP surfaces was fabricated. The morphology of the etched surface exhibits a pyramid-like feature. The wafer was cut into 270 ×
Publikováno v:
Journal of Semiconductors; Jan2011, Vol. 32 Issue 1, p1-1, 1p