Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"Liu, Peng‐Qiang"'
Autor:
Zhao, Zhi-Xue, Feng, Qin, Liu, Peng-Qiang, He, Xiao-Rong, Zhao, Jing-Hao, Xu, Yong-Ju, Zhang, Ling-Li, Huang, Yan-Yan, Zhao, Ji-Qun, Fan, Jing, Li, Yan, Xiao, Shunyuan, Wang, Wen-Ming
Publikováno v:
The New Phytologist, 2021 Jan 01. 229(1), 516-531.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/27149973
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Integrative Plant Biology. Apr2016, Vol. 58 Issue 4, p284-298. 15p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Guo Yue, Liu Peng-Qiang, Huang Ru, Li Zhi-Qiang, Li Ming, Lin Meng, Zhang Xing, Yun Quan-Xin, An Xia
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 64:208501
Germanium based metal oxide semiconductor (MOS) device has been a research hotspot and considered as a potential candidate for future complementary MOS (CMOS) technology due to its high and symmetric carrier mobility. However, the poor quality of gat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::18ae1ec63df59cce1f92fe4371950298
https://doi.org/10.7498/aps.64.208501
https://doi.org/10.7498/aps.64.208501
Autor:
Xia Yu-Xuan, Liu Peng-Qiang, Yun Quan-Xin, Wang Yangyuan, Zhang Hao, Zhang Xing, Huang Ru, Li Ming, An Xia, Zhang Bing-Xin, Lin Meng, Li Zhiqiang
Publikováno v:
Chinese Physics B. 23:118506
An extensive and complete experimental investigation with a full layout design of the channel direction was carried out for the first time to clarify the orientation dependence of germanium p-channel metal—oxide—semiconductor field-effect transis
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::14347ccd1e3d08959be0254e51c2cc51
https://doi.org/10.1088/1674-1056/23/11/118506
https://doi.org/10.1088/1674-1056/23/11/118506
Autor:
Zhang Bing-Xin, Lin Meng, An Xia, Zhang Hao, Xia Yu-Xuan, Zhang Xing, Wang Yangyuan, Li Ming, Liu Peng-Qiang, Yun Quan-Xin, Huang Ru, Li Zhiqiang
Publikováno v:
Chinese Physics B. 23:118504
Nitrogen plasma passivation (NPP) on (111) germanium (Ge) was studied in terms of the interface trap density, roughness, and interfacial layer thickness using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The results show that NPP not only reduc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2584f0d9b0a559c9822151a63300dc90
https://doi.org/10.1088/1674-1056/23/11/118504
https://doi.org/10.1088/1674-1056/23/11/118504
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.