Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Liu, Ji-Zhi"'
Publikováno v:
Zeitschrift für Kristallographie - New Crystal Structures, Vol 231, Iss 4, Pp 1203-1205 (2016)
C31H27ZnFN3O9.5S, triclinic, P1̅ (no. 2), a = 10.6434(4) Å, b = 12.6191(4) Å, c = 12.8532(5) Å, α = 93.998(3)°, β = 109.121(3)°, γ = 112.773(3)°, V = 1465.16(9) Å3, Z = 2, Rgt(F) = 0.0354, wRref(F2) = 0.1012, T = 293 K.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/12eccae82b8f48498c4c885d54d9785d
Publikováno v:
Zeitschrift für Kristallographie - New Crystal Structures, Vol 231, Iss 2, Pp 485-487 (2016)
C40H46Cu1N6O14F2S, monoclinic, P21/c, a = 15.6688(5) Å, b = 14.2411(4) Å, c = 22.0126(10) Å, β = 124.327(3)°, V = 4056.4(3) Å3, Z = 4, Rgt(F) = 0.0579, wRref(F2) = 0.1677, T = 293 K.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0747c677425b44d282eac740d1db3162
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 63:107302
To reduce the on-resistance and enhance the breakdown voltage of silicon on insulator (SOI) lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device at the same time, a low on-resistance SOI-LDMOS device with a vertical drain field plate and
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Zeitschrift für Kristallographie / New Crystal Structures; Dec2016, Vol. 231 Issue 4, p1203-1205, 3p
Publikováno v:
Advanced Materials Research; August 2014, Vol. 1015 Issue: 1 p189-193, 5p
Publikováno v:
Advanced Materials Research; July 2014, Vol. 989 Issue: 1 p576-580, 5p
Publikováno v:
Advanced Materials Research; February 2014, Vol. 887 Issue: 1 p276-280, 5p