Zobrazeno 1 - 10
of 130
pro vyhledávání: '"Litovchenko, V. G."'
Publikováno v:
Ukr. J. Phys. 2014. Vol. 59, No. 1, PP. 79 - 86
A transformation of the band structure in bilayer graphene (BLG) with relatively shifted layers has been studied in the framework of the tight-binding model. BLG is demonstrated to remain a zero-gap material in the whole range of experimentally attai
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1401.0820
Autor:
Litovchenko, V. G.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 11 No. 1 (2016): Reviews; 18
Український фізичний журнал; Том 11 № 1 (2016): Огляди; 18
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 1 (2017); 80
Український фізичний журнал; Том 62 № 1 (2017); 80
Український фізичний журнал; Том 11 № 1 (2016): Огляди; 18
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 1 (2017); 80
Український фізичний журнал; Том 62 № 1 (2017); 80
Some important results obtained by Ukrainian physicists in semiconductor surface science during the independence years (1991–2016) are discussed. The review is mainly focused on the results obtained for nano-dimensional and quantum-size structures
Autor:
Belyaev, O. Ye., Valakh, M. Ya., Venger, Ye. F., Klad’ko, V. P., Kochelap, V. O., Litovchenko, V. G., Lysenko, V. S., Syzov, F. F., Babych, V. M., Dmytruk, M. L., Kolomoets, V. V., Konakova, R. V., Korbutyak, D. V., Melnyk, V. P., Prokopenko, I. V., Romanyuk, B. M., Tomashyk, V. M., Vorobkalo, F. M.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 12 (2015); 1268
Український фізичний журнал; Том 60 № 12 (2015); 1268
Український фізичний журнал; Том 60 № 12 (2015); 1268
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 7 (2017); 605
Український фізичний журнал; Том 62 № 7 (2017); 605
Український фізичний журнал; Том 62 № 7 (2017); 605
Mechanisms of adsorption-catalytic activation of composites fabricated on the basis of porous silicon with incorporated nanoparticles of transition metals (Pd, W, Cu) and their oxides have been analyzed theoretically. The influence of adsorbed atoms
Autor:
Zagorodny, A. G., Bakai, O. S., Loktev, V. M., Shulga, M. F., Gusynin, V. P., Lev, B. I., Litovchenko, V. G., Petrov, E. G., Tomchuk, P. M., Burban, I. M., Vilchynskyi, S. Y., Grinyuk, B. E., Gavrilik, O. M., Gerasymenko, V. I., Dotsenko, I. S., Zasenko, V. I., Kocherga, O. D., Sitenko, Yu. O., Strikha, M. V., Filippov, G. F.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 8 (2014); 841
Український фізичний журнал; Том 59 № 8 (2014); 841
Український фізичний журнал; Том 59 № 8 (2014); 841
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 7 (2014); 726
Український фізичний журнал; Том 59 № 7 (2014); 726
Український фізичний журнал; Том 59 № 7 (2014); 726
Within the methods of electron density functional and ab initio pseudopotential, we have obtained the spatial distributions of the density of valence electrons and the electron energy spectra for metallic and oxidized small clusters from the atoms of
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 1 (2014); 79
Український фізичний журнал; Том 59 № 1 (2014); 79
Український фізичний журнал; Том 59 № 1 (2014); 79
A transformation of the band structure in bilayer graphene (BLG) with relatively shifted layers has been studied in the framework of the tight-binding model. BLG is demonstrated to remain a zero-gap material in the whole range of experimentally attai
Autor:
Gamov, D. V., Gudymenko, O. I., Kladko, V. P., Litovchenko, V. G., Melnik, V. P., Oberemok, O. S., Popov, V. G., Polishchuk, Yu. O., Romaniuk, B. M., Chernenko, V. V., Nasekа, V. M.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 9 (2013); 881
Український фізичний журнал; Том 58 № 9 (2013); 881
Український фізичний журнал; Том 58 № 9 (2013); 881
A comparative study of the defect formation and changes in the lifetime of nonequilibrium minority charge carriers in silicon while gettering the iron impurity with the use of a combined getter “porous silicon layer + aluminum film” is carried ou
Autor:
Litovchenko, V. G., Efremov, A. A.
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 1, № 1 (2004); 5-18
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 1, № 1 (2004); 5-18
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 1, № 1 (2004); 5-18
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 1, № 1 (2004); 5-18
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 1, № 1 (2004); 5-18
В загальному виді викладена макроскопічна теорія газового сенсора з каталітичним затвором, яка застосована для пояснення процесів ста
Autor:
Oberemok, O. S.1 ober@isp.kiev.ua, Litovchenko, V. G.1, Gamov, D. V.1, Popov, V. G.1, Melnik, V. P.1, Gudymenko, O. Yo.1, Nikirin, V. A.1, Khatsevich, I. M.1
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2011, Vol. 14 Issue 3, p369-272. 4p.