Zobrazeno 1 - 10
of 125
pro vyhledávání: '"Lisker, Marco"'
Autor:
Diebel, Laura K., Zinkl, Lukas G., Hötzinger, Andreas, Reichmann, Felix, Lisker, Marco, Yamamoto, Yuji, Bougeard, Dominique
Gate-tunable semiconductor nanosystems are getting more and more important in the realization of quantum circuits. While such devices are typically cooled to operation temperature with zero bias applied to the gate, biased cooling corresponds to a no
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.14844
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing September 2023 164
Autor:
Drost, Martin, Marschmeyer, Steffen, Fraschke, Mirko, Fursenko, Oksana, Bärwolf, Florian, Costina, Ioan, Mahadevaiah, Mamathamba Kalishettyhalli, Lisker, Marco
Publikováno v:
In Micro and Nano Engineering April 2022 14
Autor:
Di Bartolomeo, Antonio, Luongo, Giuseppe, Giubileo, Filippo, Funicello, Nicola, Niu, Gang, Schroeder, Thomas, Lisker, Marco, Lupina, Grzegorz
Publikováno v:
2D Materials 4 (2017) 025075
We propose a hybrid device consisting of a graphene/silicon (Gr/Si) Schottky diode in parallel with a Gr/SiO2/Si capacitor for high-performance photodetection. The device, fabricated by transfer of commercial graphene on low-doped n-type Si substrate
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1701.06541
Autor:
Akhtar, Fatima, Dabrowski, Jaroslaw, Lisker, Marco, Zaumseil, Peter, Schulze, Sebastian, Jouvray, Alex, Caban, Piotr, Mai, Andreas, Wenger, Christian, Lukosius, Mindaugas
Publikováno v:
In Thin Solid Films 30 November 2019 690
Autor:
Lisker, Marco, Lukosius, Mindaugas, Kitzmann, Julia, Fraschke, Mirko, Wolansky, Dirk, Schulze, Sebastian, Lupina, Grzegorz, Mai, Andreas
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2018 144:17-21
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Japec, Karolina, Matić, Mislav, Lukose, Rasuole, Lisker, Marco, Lukošius, Mindaugas, Poljak, Mirko
An increase of mobility up to ~2600 cm2/Vs is observed in graphene by Hall bar characterization within the temperature range from 40 K to 300 K. The increasing trend is attributed to Coulomb scattering by employing theoretical modeling based on the m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=57a035e5b1ae::1dc4a64fa043547e92a8fd7fd55cbd4f
https://www.bib.irb.hr/1274729
https://www.bib.irb.hr/1274729
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering September 2013 109:113-116