Modeling of LT-GaAs and LT-Al0.3Ga0.7As MISFET devices

Autor: Rao, Rapeta V.V.V.J., Chong, T.C., Tan, L.S., Lau, W.S., Liou, JJ.

Publikováno v: Rao, Rapeta V.V.V.J. ; Chong, T.C. ; Tan, L.S. ; Lau, W.S. ; Liou, JJ. (1999) Modeling of LT-GaAs and LT-Al0.3Ga0.7As MISFET devices. In: Gallium Arsenide Applications Symposium. GAAS 1999, 4-5 October 1999, Bologna, Italy.

A theoretical model is developed for LT-GaAs and LT-Al0.3Ga0.7As MISFETs and is compared with experimental data. This model is based upon the analytical solution of Poisson's equation, the current continuity equation and the Chang-Fetterman velocity-

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::280521d68d7e8da529b3796de660182e

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.