Zobrazeno 1 - 10 of 192 pro vyhledávání: '"Lindefelt, U."'
1
Akademický článek
Stacking faults in silicon carbide
Autor: Iwata, H.P *, Lindefelt, U, Öberg, S, Briddon, P.R
Publikováno v: In Physica B: Physics of Condensed Matter 31 December 2003 340-342:165-170
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
A Monte Carlo study of low field transport in Al-doped 4H–SiC
Autor: Martinez, A. *, Lindefelt, U., Hjelm, M., Nilsson, H.-E.
Publikováno v: In Applied Surface Science 2001 184(1):173-177
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Plasma-induced band edge shifts in 3C-, 2H-, 4H-, 6H–SiC and Si
Autor: Persson, C. *, Lindefelt, U., Sernelius, B.E.
Publikováno v: In Solid State Electronics 2000 44(3):471-476
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Ab initio study of 3C inclusions and stacking fault–stacking fault interactions in 6H-SiC.
Autor: Iwata, H.P., Lindefelt, U., Öberg, S., Briddon, P.R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/2003, Vol. 94 Issue 8, p4972, 8p, 4 Diagrams, 3 Charts, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Investigation of quantum effects on the Bloch electron velocity around closely spaced bands at high electric fields.
Autor: Martinez, A., Lindefelt, U., Nilsson, H.-E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/2003, Vol. 93 Issue 12, p9789, 8p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Monte Carlo study of hole mobility in Al-doped 4H–SiC.
Autor: Martinez, A., Lindefelt, U., Hjelm, M., Nilsson, H.-E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/2002, Vol. 91 Issue 3, p1359, 6p, 3 Charts, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
A model for doping-induced band gap narrowing in 3C-, 4H-, and 6H-SiC
Autor: Lindefelt, U *
Publikováno v: In Materials Science & Engineering B 1999 61:225-228
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Dependence of energy gaps and effective masses on atomic positions in hexagonal SiC.
Autor: Persson, C., Lindefelt, U.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1999, Vol. 86 Issue 9, p5036, 4p, 1 Chart, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Band gap narrowing in n-type and p-type 3C-, 2H-, 4H-, 6H-SiC, and Si.
Autor: Persson, C., Lindefelt, U.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1999, Vol. 86 Issue 8, p4419, 9p, 3 Charts, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Equations for electrical and electrothermal simulation of anisotropic semiconductors.
Autor: Lindefelt, U.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1994, Vol. 76 Issue 7, p4164, 4p, 2 Charts
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje