Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"Lin You-Ru"'
Autor:
Na, Neil, Lu, Yen-Cheng, Liu, Yu-Hsuan, Chen, Po-Wei, Lai, Ying-Chen, Lin, You-Ru, Lin, Chung-Chih, Shia, Tim, Cheng, Chih-Hao, Chen, Shu-Lu
Publikováno v:
Nature 627, 295 (2024)
The ability to detect single photons has led to the advancement of numerous research fields. Although various types of single-photon detector have been developed, because of two main factors - that is, (1) the need for operating at cryogenic temperat
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.10379
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Thomas Yang, Man-Ho Kwan, J. L. Yu, Alexander Kalnitsky, H. C. Tuan, Tom Tsai, Gaofei Tang, Lin You-Ru, Chan-Hong Chern, Fu-Wei Yao, Kevin J. Chen, Ru-Yi Su
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 39:1362-1365
The ${p}$ -GaN gate capacitors with a metal/ ${p}$ -GaN/AlGaN/GaN structure are demonstrated on an enhancement-mode (E-mode) GaN-on-Si power device platform. High capacitance density of >170 nF/cm2 is obtained with an operating voltage range of 0 ~ 7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alexander Kalnitsky, Huang Shih-Fen, Benior Chen, Hu Fan, Terrence Yu, Sean Cheng, Leo Tsai, Lin Anderson, Victor Shih, Vincent Teng, Yeur-Luen Tu, Lin You-Ru, Huang Fu-Chun, Yi-Heng Tsai, Ching-Hui Lin, Julian Lee, Lee-Chuan Tseng, Chen Yen-Wen, Liao Yan-Jie, Ching-Hua Chiu, Kelvin Tai, Chih-Ming Chen, Chang Kai-Fung
Publikováno v:
2019 20th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems & Eurosensors XXXIII (TRANSDUCERS & EUROSENSORS XXXIII).
This work presents the piezoelectric process technology developed in a high volume foundry for emerging MEMS applications. Innovative reliability enhancement techniques for piezoelectric devices are demonstrated to significantly boost (1) dielectric
Autor:
Ru-Yi Su, H. C. Tuan, Tom Tsai, Zhaofu Zhang, J. L. Yu, Gaofei Tang, Fu-Wei Yao, Chan-Hong Chern, Jiacheng Lei, Man-Ho Kwan, Thomas Yang, Lin You-Ru, Kevin J. Chen, Jiabei He, Alexander Kalnitsky
Publikováno v:
2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD).
An enhancement-mode GaN power switch with monolithically integrated gate driver is demonstrated on a 650-V GaN-on-Si power device platform. The integrated GaN-based gate driver features advanced designs such as bootstrapped gate-charging current sour
Autor:
LIN,YOU-RU, 林佑儒
106
This study intended to inquire the perception of association between teenagers online gaming motivation and their real and Internet interpersonal relationships, then to analyze the correlations between teenagers online gaming motivation and
This study intended to inquire the perception of association between teenagers online gaming motivation and their real and Internet interpersonal relationships, then to analyze the correlations between teenagers online gaming motivation and
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/ru56w2
Autor:
Shyh-Fann Ting, Yong-Shiuan Tsair, Chih-Ciao Yang, Lin You-Ru, Shih-Chang Chen, Mo-Chiun Yu, Chen-Hua Yu, Ming-Fang Wang, Chung-Hui Chen, Mong-Song Liang, Y.K. Fang
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 22:260-262
Ultrathin nitride/oxide (N/O) gate dielectric stacks with equivalent oxide thickness of 1.6 nm have been fabricated by combining remote plasma nitridation (RPN) and low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) technologies. NMOSFETs with these gate
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.