Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"Lin, Barry"'
Publikováno v:
Financial Analysts Journal, 2008 Sep 01. 64(5), 77-87.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/40390340
Publikováno v:
In Solid State Electronics 1999 43(8):1399-1403
Publikováno v:
2016 IEEE Global Engineering Education Conference (EDUCON); 2016, p389-396, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC); 2015, p254-257, 4p
Publikováno v:
Frank Chau, H.-F. ; Chen, Zhengming ; Larry Wang, N.-L. ; Sun, Xiaopeng ; Lin, Barry (2000) Conversion of AlGaAs intoInGaP emitter HBT RF ICs for improved manufacturability. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2000, 2-6 october 2000, Paris.
The InGaP emitter HBT technology is rapidly emerging as the dominant HBT technology because of its recognized better manufacturability, transistor reliability, and current gain stability over current and temperature than its AlGaAs emitter counterpar
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::763f505ba7fa9dce9dfd3d9c738a4cb5
http://amsacta.unibo.it/252/
http://amsacta.unibo.it/252/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2014 9th European Microwave Integrated Circuit Conference; 2014, p1-4, 4p
Autor:
Perregrini, Luca, Colantonio, Paolo, Berizzi, Fabrizio, Tao, Nick G.M., Lin, Bo-Rong, Lee, Chien-Ping, Henderson, Tim, Lin, Barry J.F.
Publikováno v:
International Journal of Microwave & Wireless Technologies; Jun2015, Vol. 7 Issue 3/4, p279-285, 7p
Publikováno v:
2013 IEEE International Wireless Symposium (IWS); 2013, p1-4, 4p