Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Lim Yeow Kheng"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu, Paiting, Wen, Yue, Siah, Chun Fei, Pam, Mei Er, Xu, Baochang, Thean, Aaron Voon-Yew, Lim, Yeow Kheng, Shin, Sunmi
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 6/19/2023, Vol. 122 Issue 25, p1-6, 6p
Autor:
Ong, Yue Ying, Ho, Soon Wee, Vaidyanathan, Kripesh, Sekhar, Vasarla Nagendra, Jong, Ming Chinq, Yak Long, Samuel Lim, Wen Sheng, Vincent Lee, Wai, Leong Ching, Rao, Vempati Srinivasa, Ong, Jimmy, Ong, Xuefen, Zhang, Xiaowu, Seung, Yoon Uk, Lau, John H., Lim, Yeow Kheng, Yeo, David, Chan, Kai Chong, Yanfeng, Zhang, Tan, Juan Boon, Sohn, Dong Kyun
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability 2010 50(7):986-994
Autor:
Ong, Xuefen, Ho, Soon Wee, Ong, Yue Ying, Wai, Leong Ching, Vaidyanathan, Kripesh, Lim, Yeow Kheng, Yeo, David, Chan, Kai Chong, Tan, Juan Boon, Sohn, Dong Kyun, Hsia, Liang Choo, Chen, Zhong
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability 2009 49(2):150-162
Autor:
Xuefen Ong, Seung Uk Yoon, Juan Boon Tan, John H. Lau, Yue Ying Ong, Lim Yeow Kheng, Kai Chong Chan, David Yeo, Dong Kyun Sohn, Yanfeng Zhang, Xiaowu Zhang, J. Ong, Soon Wee Ho, Kripesh Vaidyanathan, V. N. Sekhar
Publikováno v:
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 1:279-290
This paper presents a systematic underfill selection and characterization methods for 21 ×21 mm2 Cu/low-K flip chip packages (65 nm technology) with 150 μm bump pitch. This paper has also correlated the underfill characterization methods with the r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::24f1b83f4b6c176d0fb5ff97ba62c88a
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2010.2100433
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2010.2100433
Autor:
Lim, Yeow Kheng.
The main focus is to further develop the accelerated wafer-level ISO-J and IOS-T EM tests with the possibility of incorporation into wafer fabrication for rapid EM evaluation of new interconnect metallization. Master of Engineering
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1392::4625e9714dc07ccf4b819fd28398eca5
http://hdl.handle.net/10356/4698
http://hdl.handle.net/10356/4698
Publikováno v:
2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics; 2006, p626-629, 4p