Zobrazeno 1 - 10
of 47
pro vyhledávání: '"Lim, Tingbin"'
Autor:
Matmon, Guy, Ginossar, Eran, Villis, Byron J., Kölker, Alex, Lim, Tingbin, Solanki, Hari, Schofield, Steven R., Curson, Neil J., Li, Juerong, Murdin, Ben N., Fisher, Andrew J., Aeppli, Gabriel
Publikováno v:
Phys. Rev. B 97, 155306 (2018)
Doping of silicon via phosphene exposures alternating with molecular beam epitaxy overgrowth is a path to Si:P substrates for conventional microelectronics and quantum information technologies. The technique also provides a new and well-controlled ma
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1802.05208
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sharpe, Ryan1 ryansharpe@synfuelschina.com.cn, Lim, Tingbin1, Jiao, Yunzhe1, Niemantsverdriet, J. W. (Hans)1,2, Gracia, Jose1 jose.syngas@outlook.com
Publikováno v:
ChemCatChem. 12/19/2016, Vol. 8 Issue 24, p3762-3768. 7p.
Publikováno v:
ChemCatChem. 9/21/2016, Vol. 8 Issue 18, p2968-2974. 7p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gramse, Georg, Kölker, Alexander, Lim, Tingbin, Stock, Taylor J. Z., Solanki, Hari, Schofield, Steven R., Brinciotti, Enrico, Aeppli, Gabriel, Kienberger, Ferry, Curson, Neil J.
Publikováno v:
Science Advances, 3 (6)
It is now possible to create atomically thin regions of dopant atoms in silicon patterned with lateral dimensions ranging from the atomic scale (angstroms) to micrometers. These structures are building blocks of quantum devices for physics research a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::63a95cf1ba856033a9e7913025c7ad31
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.