Zobrazeno 1 - 10
of 92
pro vyhledávání: '"Likhachev, I. A."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Likhachev, I. V., Lakhno, V. D.
Publikováno v:
Chemical Physics Letters, 727, 55-58 (2019)
The phase transition of $(PolyA/PolyT)_{100}$ duplex into the denaturated state is studied in the Peyrard-Bishop-Dauxois model by the method of direct molecular-dynamical modeling. The temperature dependencies of the total energy and heat capacity of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1811.03405
Autor:
Nikolaev, S. N., Semisalova, A. S., Rylkov, V. V., Tugushev, V. V., Zenkevich, A. V., Vasiliev, A. L., Pashaev, E. M., Chernoglazov, K. Yu., Chesnokov, Yu. M., Likhachev, I. A., Perov, N. S., Matveyev, Yu. A., Novodvorskii, O. A., Kulatov, E. T., Bugaev, A. S., Wang, Y., Zhou, S.
We present the results of a comprehensive study of magnetic, magneto-transport and structural properties of nonstoichiometric MnxSi1-x (x=0.51-0.52) films grown by the Pulsed Laser Deposition (PLD) technique onto Al2O3(0001) single crystal substrates
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1510.02257
Autor:
Chesnokov, Yu. G.1 ygchesnokov@yandex.ru, Likhachev, I. G.1, Flisyuk, O. M.1, Martsulevich, N. A.1, Meshalkin, V. P.1, Garabadzhiu, A. V.1
Publikováno v:
Russian Journal of General Chemistry. Mar2023, Vol. 93 Issue 3, p711-714. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Pankov, M. A., Aronzon, B. A., Rylkov, V. V., Davydov, A. B., Tugushev, V. V., Caprara, S., Likhachev, I. A., Pashaev, E. M., Chuev, M. A., Lähderanta, E., Vedeneev, A. S., Bugaev, A. S.
Transport properties of GaAs/{\delta}/GaAs/In\timesGa1-\timesAs/GaAs structures containing InxGa1-xAs (\times {\approx} 0.2) quantum well (QW) and Mn delta layer (DL) with relatively high, about one Mn monolayer (ML) content, are studied. In thes
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1202.1915
Autor:
Lobanov, M. Y., Slizen, M. V., Dovidchenko, N. V., Panfilov, A. V., Surin, A. A., Likhachev, I. V., Galzitskaya, O. V.
Publikováno v:
Molecular Informatics; May2024, Vol. 43 Issue 5, p1-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.