Zobrazeno 1 - 10 of 48 pro vyhledávání: '"Lightowlers, E. C."'
1
Akademický článek
Nitrogen concentration in GaP measured by optical absorption and by proton-induced nuclear reactions.
Autor: Lightowlers, E. C., North, J. C., Lorimor, O. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1974, Vol. 45 Issue 5, p2191-2200, 10p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Characterization of compositionally graded Si1-xGex alloy layers by photoluminescence spectroscopy and by cathodoluminescence spectroscopy and imaging.
Autor: Higgs, V., Lightowlers, E. C., Fitzgerald, E. A., Xie, Y. H., Silverman, P. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1993, Vol. 73 Issue 4, p1952, 5p, 2 Black and White Photographs, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Nuclear microanalysis of oxygen concentration in liquid-phase epitaxial gallium phosphide.
Autor: Lightowlers, E. C., North, J. C., Jordan, A. S., Derick, L., Merz, J. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Oct1973, Vol. 44 Issue 10, p4758-4768, 11p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
CHARACTERISATION OF CLEAN DISLOCATIONS AND THE INFLUENCE OF TRANSITION METAL CONTAMINATION.
Autor: HIGGS, V., NORMAN, C. E., LIGHTOWLERS, E. C., KIGHTLEY, P. C.
Publikováno v: Physics of Semiconductors - Proceedings of the 20th International Conference (In 3 Volumes); 1990, p706-709, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
SHALLOW ELECTRONIC TRAPS ASSOCIATED WITH HYDROGEN COMPLEXES IN CRYSTALLINE SILICON.
Autor: SAFONOV, A. N., LIGHTOWLERS, E. C., DAVIES, G.
Publikováno v: Shallow-Level Centers in Semiconductors - Proceedings of the 7th International Conference; 1997, p43-54, 12p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Hydrogen molecules in boron-doped crystalline silicon.
Autor: Pritchard, R E, Tucker, J H, Newman, R C, Lightowlers, E C
Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; 1999, Vol. 14 Issue 1, p77-80, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Study of the 1096.9 meV photoluminescent oxygen-related centre in neutron-irradiated CZ-Si: Formation and structure.
Autor: Rodríguez, F., Davies, G., Lightowlers, E. C.
Publikováno v: Radiation Effects & Defects in Solids; Nov1999, Vol. 149 Issue 1-4, p141-148, 8p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Carbon-related vibronic bands in electron-irradiated silicon.
Autor: Davies, G, Lightowlers, E C, Carmo, M do
Publikováno v: Journal of Physics C: Solid State Physics; 1983, Vol. 16 Issue 28, p5503-5515, 13p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
The isoelectronic centre in beryllium-doped silicon. I. Zeeman study.
Autor: Killoran, N, Dunstan, D J, Henry, M O, Lightowlers, E C, Cavenett, B C
Publikováno v: Journal of Physics C: Solid State Physics; 1982, Vol. 15 Issue 29, p6067-6085, 19p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje