Zobrazeno 1 - 10
of 379
pro vyhledávání: '"Liehr M"'
Autor:
Ji, B. L., Li, H., Ye, Q., Gausepohl, S., Deora, S., Veksler, D., Vivekanand, S., Chong, H., Stamper, H., Burroughs, T., Johnson, C., Smalley, M., Bennett, S., Kaushik, V., Piccirillo, J., Rodgers, M., Passaro, M., Liehr, M.
Publikováno v:
2015 IEEE International Memory Workshop(IMW), 17-20 May 2015 URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=7150290&isnumber=7150256
Spatial and temporal variability of HfOx-based resistive random access memory (RRAM) are investigated for manufacturing and product designs. Manufacturing variability is characterized at different levels including lots, wafers, and chips. Bit-error-r
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1509.00070
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Haueisen, J., Fleissig, K., Strohmeier, D., Elsarnagawy, T., Huonker, R., Liehr, M., Witte, O.W.
Publikováno v:
In Clinical Neurophysiology August 2012 123(8):1581-1585
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2006 502(1):9-14
Autor:
Liehr, M., Dieguez-Campo, M.
Publikováno v:
In Surface & Coatings Technology 1 October 2005 200(1-4):21-25
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Sep2011, Vol. 110 Issue 5, p053502, 7p