Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Lie, Fee Li"'
Autor:
Lie, Fee Li
In-based III-V compound semiconductors have higher electron mobilities than either Si or Ge and direct band gaps. These properties could enable the fabrication of low power, high-speed n-channel metal oxide semiconductor field effect transistors (MOS
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10150/204301
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bencher, Christopher, Cheng, Joy Y., Liu, Chi-Chun C., Franke, Elliott, Lie, Fee Li, Sieg, Stuart, Tsai, Hsinyu, Lai, Kafai, Truong, Hoa, Farrell, Richard, Somervell, Mark, Sanders, Daniel, Felix, Nelson, Guillorn, Michael, Burns, Sean, Hetzer, David, Ko, Akiteru, Arnold, John, Colburn, Matthew
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; March 2016, Vol. 9777 Issue: 1 p97770R-97770R-15, 9679246p
Autor:
Resnick, Douglas J., Bencher, Christopher, Liu, Chi-Chun, Lie, Fee Li, Rastogi, Vinayak, Franke, Elliott, Mohanty, Nihar, Farrell, Richard, Tsai, Hsinyu, Lai, Kafai, Ozlem, Melih, Cho, Wooyong, Jung, Sung Gon, Strane, Jay, Somervell, Mark, Burns, Sean, Felix, Nelson, Guillorn, Michael, Hetzer, David, Ko, Akiteru, Colburn, Matthew
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; March 2015, Vol. 9423 Issue: 1 p94230S-94230S-10, 9328781p
Autor:
Lie, Fee Li, Muscat, Anthony J.
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry - Part C; April 2011, Vol. 115 Issue: 15 p7440-7449, 10p