Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Liang-Bi Chang"'
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 22:561
The predeposition of boron atoms in silicon by using a boron nitride planar source and the redistribution of the deposited layers under various conditions have been studied. A simulation program incorporating the continuity and Poisson's equations ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48b7595db6aea7e5a854e1febe532898
https://doi.org/10.7567/jjaps.22s1.561
https://doi.org/10.7567/jjaps.22s1.561
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.