Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"Liang Shurong"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Ching, Mahendra Pakala, S. Kim, Lin Xue, Liang Shurong, Chando Park, Jimmy Kan, Seung H. Kang, A. Kontos, S. Hassan, Wang Rongjun, Mangesh Bangar, Jaesoo Ahn, H. Chen
Publikováno v:
IEEE Transactions on Magnetics. 53:1-4
This paper investigates the temperature-dependent behaviors of critical device parameters in 1 Gb perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) arrays from 25 °C to 125 °C. Despite the fact that pMTJ (45-50 nm in diameter) attributes are generally
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5bc964a83a7b17a83fff74f84aa1f586
https://doi.org/10.1109/tmag.2016.2615816
https://doi.org/10.1109/tmag.2016.2615816
Autor:
H. Chen, Liang Shurong, Wang Rongjun, Hsin-Wei Tseng, S. Hassan, Mahendra Pakala, Mangesh Bangar, Lin Xue, C. Ching, Wang Xiaodong, Jaesoo Ahn, James Howarth, Renu Whig, A. Kontos
Publikováno v:
2018 IEEE Symposium on VLSI Technology.
This paper demonstrates systematic process optimization of perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) by hardware, unit-process, and material stack design. TMR of 200% at RA 5 Ohm•µm2, H SAF ~ 8 kOe, and 10-time tunability of Hc were achieved a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::256baf26d44eb110c8976cab4a9168c9
https://doi.org/10.1109/vlsit.2018.8510642
https://doi.org/10.1109/vlsit.2018.8510642
Autor:
Jaesoo Ahn, Jimmy Kan, Lin Xue, A. Kontos, Seung H. Kang, Mangesh Bangar, S. Kim, H. Chen, Chando Park, S. Hassan, Wang Rongjun, C. Ching, Liang Shurong, Mahendra Pakala
Publikováno v:
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We present a comprehensive device and scalability validation of STT-MRAM for high performance applications in sub-10 nm CMOS by providing the first statistical account of barrier reliability in perpendicular magnetic tunnel junctions (pMTJs) from 70
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5fc6184c8b304399fc3b2efc8c23bbd2
https://doi.org/10.1109/iedm.2016.7838493
https://doi.org/10.1109/iedm.2016.7838493
Publikováno v:
Acta Ecologica Sinica. 32:6584-6590
Effects of different planting densities and modes on activities of key enzymes related to carbon-nitrogen metabolism in summer maize in two cultivars,Zhengdan 958 and Xundan 20,were studied under the condition of Northern Henan Province.The results s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e15a56d936076697b360d67c6d5ca333
https://doi.org/10.5846/stxb201203050294
https://doi.org/10.5846/stxb201203050294
Autor:
Seung H. Kang, Matthias Georg Gottwald, Jimmy Kan, A. Kontos, H. Chen, C. Ching, Mahendra Pakala, Lin Xue, Liang Shurong, Mangesh Bangar, Chando Park, Xiaochun Zhu, Jaesoo Ahn, S. Hassan, Wang Rongjun
Publikováno v:
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
This paper demonstrates the co-optimization of all critical device parameters of perpendicular magnetic tunnel junctions (pMTJ) in 1 Gbit arrays with an equivalent bitcell size of 22 F2 at the 28 nm logic node for embedded STT-MRAM. Through thin-film
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::87ab367b9c5ec7677a66ab32586f0929
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409771
https://doi.org/10.1109/iedm.2015.7409771
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yang, Bin, Lin, J.-Y. Jason, Gupta, Suyog, Roy, Arunanshu, Liang, Shurong, Maszara, W. P., Nishi, Yoshio, Saraswat, Krishna
Publikováno v:
2012 International Silicon-Germanium Technology & Device Meeting (ISTDM); 1/ 1/2012, p1-2, 2p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.