Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"LiFatou, A."'
Autor:
Quevedo-Lopez, M. A., Visokay, M. R., Chambers, J. J., Bevan, M. J., LiFatou, A., Colombo, L., Kim, M. J., Gnade, B. E., Wallace, R. M.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/15/2005, Vol. 97 Issue 4, p043508, 15p, 5 Black and White Photographs, 1 Diagram, 5 Charts, 21 Graphs
Autor:
A. LiFatou, Manuel Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, M. J. Kim, James J. Chambers, Luigi Colombo, Robert M. Wallace, Bruce E. Gnade, Mark R. Visokay
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 82:4669-4671
We demonstrate that incorporating N in Hf-silicate films reduces B penetration through the dielectric film. By modeling the B depth profiles, we calculated the B diffusivities through Hf-silicate (HfSixOy) to be ∼2× higher than the corresponding d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::74ae1a6f943034a8caf9d17e8a1a4d56
https://doi.org/10.1063/1.1586483
https://doi.org/10.1063/1.1586483
Autor:
M. J. Bevan, Luigi Colombo, M. J. Kim, Robert M. Wallace, Manuel Quevedo-Lopez, Mark R. Visokay, A. LiFatou, M. El-Bouanani, Bruce E. Gnade
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 81:1609-1611
Phosphorus and arsenic penetration studies from P- and As-doped polycrystalline silicon through HfSixOy and HfSixOyNz (18% N) alternate gate dielectric candidates films into Si(100) are presented using a combination of chemical etching and secondary
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c3419d4106397d79f653b8ada1330e8f
https://doi.org/10.1063/1.1502910
https://doi.org/10.1063/1.1502910
Autor:
Bruce E. Gnade, Mark R. Visokay, M. El-Bouanani, Luigi Colombo, Manuel Quevedo-Lopez, Robert M. Wallace, A. LiFatou, M. J. Kim, M. J. Bevan
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 81:1074-1076
We present detailed B penetration studies from B-doped polysilicon through alternate gate dielectric candidate HfSixOy films. No detectible B penetration is observed for annealing times as long as 20 s after 950 °C. Considerable B incorporation into
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d312ffac1b041be0f3cf5d8b7626caff
https://doi.org/10.1063/1.1498872
https://doi.org/10.1063/1.1498872
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. LiFatou, Mark R. Visokay, Manuel Quevedo-Lopez, James J. Chambers, M. J. Kim, Robert M. Wallace, M. J. Bevan, Bruce E. Gnade, Luigi Colombo
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 97:043508
We present a study of the penetration of B, P, and As through Hf silicate (HfSixOy) and the effect of N incorporation in Hf silicate (HfSixOyNz) on dopant penetration from doped polycrystalline silicon capping layers. The extent of penetration throug
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::12886049286647bc743697a3248f9c80
https://doi.org/10.1063/1.1846138
https://doi.org/10.1063/1.1846138
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Quevedo-Lopez, M. A., El-Bouanani, M., Kim, M. J., Gnade, B. E., Wallace, R. M., Visokay, M. R., LiFatou, A., Chambers, J. J., Colombo, L.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 6/30/2003, Vol. 82 Issue 26, p4669, 3p, 1 Diagram, 2 Graphs
Autor:
Quevedo-Lopez, M. A., El-Bouanani, M., Kim, M. J., Gnade, B. E., Wallace, R. M., Visokay, M. R., LiFatou, A., Bevan, M. J., Colombo, L.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 8/5/2002, Vol. 81 Issue 6, p1074, 3p, 1 Diagram, 2 Graphs