Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Li Guan-Qi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Li, Guan-Qi, Zheng, Xiang-Yu, Wang, Jun-Lin, Lu, Xian-Yang, Wu, Jing, Cai, Jian-Wang, Meng, Hao, Liu, Bo, Ostler, Thomas A., Xu, Yong-Bing
Publikováno v:
Rare Metals; Jan2023, Vol. 42 Issue 1, p234-243, 10p
Publikováno v:
2001 6th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Proceedings (Cat. No.01EX443).
A low-energy (550 eV) argon-ion beam with 0.5 mA/cm/sup 2/ of current density was used to bombard the backsurface of polycrystalline-silicon-gate MOSFETs with various channel dimensions and MOS capacitors after the completion of all conventional proc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::834f077e0974081ee87012461375b431
https://doi.org/10.1109/icsict.2001.982089
https://doi.org/10.1109/icsict.2001.982089
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 40:1846
This paper study the delay of destructive breakdown and its mechanism on SiO2 films by TCE treatment. The result show that the breakdown current capacity increase with increasing the TCE flow-rate, treatment time and temperature, and reducing the oxy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3dfe2e846e317e16159e26b5b7375ba8
https://doi.org/10.7498/aps.40.1846
https://doi.org/10.7498/aps.40.1846
Publikováno v:
2001 6th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology. Proceedings (Cat. No.01EX443); 2001, p1095-1095, 1p