Zobrazeno 1 - 10
of 6 408
pro vyhledávání: '"Li, Y Q"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yan, Y. T., Zhang, J. S., Henkel, C., Mufakharov, T., Jia, L. W., Tang, X. D., Wu, Y. J., Li, J., Zeng, Z. A., Wang, Y. X., Li, Y. Q., Huang, J., Jian, J. M.
We present observations of the C-band $1_{10}-1_{11}$ (4.8 GHz) and Ku-band $2_{11}-2_{12}$ (14.5 GHz) K-doublet lines of H$_2$CO and the C-band $1_{10}-1_{11}$ (4.6 GHz) line of H$_2$$^{13}$CO toward a large sample of Galactic molecular clouds, thro
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1904.04108
Autor:
Sun, J. P., Jiao, Y. Y., Yi, C. J., Dissanayake, S. E., Matsuda, M., Uwatoko, Y., Shi, Y. G., Li, Y. Q., Fang, Z., Cheng, J. -G.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 123, 047201 (2019)
The n-type HgCr2Se4 exhibits a sharp semiconductor-to-metal transition (SMT) in resistivity accompanying the ferromagnetic order at TC = 106 K. Here, we investigate the effects of pressure and magnetic field on the concomitant SMT and ferromagnetic o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1903.10689
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhao, G. Q., Lin, C. J., Deng, Z., Gu, G. X., Yu, S., Wang, X. C., Gong, Z. Z., Uemura, Y. J., Li, Y. Q., Jin, C. Q.
Publikováno v:
Scientific Reports 7, 14473 (2017)
Recently a new type diluted magnetic semiconductor (BaK)(ZnMn)2As2 (BZA) with high Cure temperature (Tc) was discovered showing independent spin and charge doping mechanism. This makes BZA a promising material for spintronics devices. Here we report
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.04499
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.