Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Li, Brian D."'
Autor:
Dhingra, Pankul, Su, Patrick, Li, Brian D., Hool, Ryan D., Muhowski, Aaron J., Kim, Mijung, Wasserman, Daniel, Dallesasse, John, Lee, Minjoo Larry
Monolithically combining silicon nitride (SiNx) photonics technology with III-V active devices could open a broad range of on-chip applications spanning a wide wavelength range of ~400-4000 nm. With the development of nitride, arsenide, and antimonid
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2109.12419
Low-threshold visible InP quantum dot and InGaP quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy.
Autor:
Dhingra, Pankul, Muhowski, Aaron J., Li, Brian D., Sun, Yukun, Hool, Ryan D., Wasserman, Daniel, Lee, Minjoo Larry
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/14/2023, Vol. 133 Issue 10, p1-9, 9p
Autor:
Fan, Shizhao, Yu, Zhengshan J., Hool, Ryan D., Dhingra, Pankul, Weigand, William, Kim, Mijung, Ratta, Erik D., Li, Brian D., Sun, Yukun, Holman, Zachary C., Lee, Minjoo L.
Publikováno v:
In Cell Reports Physical Science 23 September 2020 1(9)
Autor:
Hool, Ryan D., Sun, Yukun, Li, Brian D., Dhingra, Pankul, Tham, Rachel W., Fan, Shizhao, Lee, Minjoo Larry
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 12/28/2021, Vol. 130 Issue 24, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dhingra, Pankul, Su, Patrick, Li, Brian D., Hool, Ryan, Muhowski, Aaron, Kim, Mijung, Wasserman, Dan, Dallesasse, John, Lee, Minjoo
High-temperature L-I, Comparison with literature, I-V characteristics, Cavity length effects
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8dfcc6f7b3995ab85155d36e45c47a4c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of Photovoltaics; 2019, Vol. 9 Issue: 3 p660-665, 6p