Zobrazeno 1 - 10 of 257 pro vyhledávání: '"Li, A.Z."'
1
Akademický článek
Analysis of dark currents and deep level traps in InP- and GaAs-based In0.83Ga0.17As photodetectors
Autor: Chen, X.Y., Zhang, Y.G., Gu, Y., Ji, X.L., Xi, S.P., Du, B., Ma, Y.J., Ji, W.Y., Shi, Y.H., Li, A.Z.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 1 November 2017 477:82-85
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Metamorphic InAs quantum well lasers on InP substrates with different well shapes and waveguides
Autor: Gu, Y., Zhang, Y.G., Chen, X.Y., Ma, Y.J., Ji, W.Y., Xi, S.P., Du, B., Shi, Y.H., Li, A.Z.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 1 November 2017 477:253-257
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Gas source MBE grown Al0.52In0.48P photovoltaic detector
Autor: Li, C., Zhang, Y.G., Gu, Y., Wang, K., Li, A.Z., Li, Hsby, Shao, X.M., Fang, J.X.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 15 May 2011 323(1):501-503
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Precise growth control and characterization of strained AlInAs and GaInAs for quantum cascade lasers by GSMBE
Autor: Gu, Y., Li, H., Li, A.Z., Li, Y.Y., Wei, L., Zhang, Y.G., Wang, K., Zheng, Y.L.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 2009 311(7):1929-1931
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Growth of InAs/GaSb type-II superlattices by gas-source molecular-beam epitaxy
Autor: Li, J., Gong, Q., Li, S.G., Li, A.Z., Lin, C.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 2009 311(7):1703-1706
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Performance of gas source MBE-grown wavelength-extended InGaAs photodetectors with different buffer structures
Autor: Zhang, Y.G., Gu, Y., Tian, Z.B., Wang, K., Li, A.Z., Zhu, X.R., Zheng, Y.L.
Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 2009 311(7):1881-1884
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje