Zobrazeno 1 - 2 of 2 pro vyhledávání: '"Lezhenin, V. P."'
1
Akademický článek
An Analytical Model of the Diffusion Redistribution of Ion-Implanted Impurity in the Gate Region of a MOS Transistor.
Autor: Bormontov, E. N., Bryazgunov, Yu. I., Lezhenin, V. P.
Publikováno v: Technical Physics Letters; Jan2003, Vol. 29 Issue 1, p47, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Rapid Monitoring of the Charging Properties of Ion-Doped MOS Structures.
Autor: Bormontov, E. N., Borisov, S. N., Lezhenin, V. P., Lukin, S. V.
Publikováno v: Technical Physics Letters; Nov2000, Vol. 26 Issue 11, p971, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje