Zobrazeno 1 - 10 of 64 pro vyhledávání: '"Lepsa, M.I."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Accurate equivalent-network modelling of GaAs/AlAs based resonant tunnelling diode with symmetrical thin barrier and spacer layers
Autor: Kwaspen, J.J.M., Lepsa, M.I., Roer, van de, T.G., Heyker, H.C., Kaufmann, L.M.F.
Publikováno v: Proc. 1st STW Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics, SAFE 98, 339-342
STARTPAGE=339;ENDPAGE=342;TITLE=Proc. 1st STW Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics, SAFE 98
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::d92ec6b8d30fc56d522bae801d9ab915
https://research.tue.nl/nl/publications/2b7e792b-6b71-40a3-8d29-1143cd2d4338
Zobrazit plný text záznamu
5
A full alternative for the RTD quantum-inductance equivalent-circuit model
Autor: Kwaspen, J.J.M., Lepsa, M.I., Van De Roer, Th. G., Heyker, H.C., Van Der Vleuten, W.C.
Publikováno v: Proc. Gallium Arsenide and Related III-V Compounds Application Symposium 1998, GAAS 98, 373-378
STARTPAGE=373;ENDPAGE=378;TITLE=Proc. Gallium Arsenide and Related III-V Compounds Application Symposium 1998, GAAS 98
Kwaspen, J.J.M. ; Lepsa, M.I. ; van de Roer, Th. G. ; Heyker, H.C. ; van der Vleuten, W.C. (1998) A full alternative for the RTD quantum-inductance equivalent-circuit model. In: Gallium Arsenide Applications Symposium. GAAS 1998, 5-6 October 1998, Amsterdam, The Netherlands.
Under specific conditions, the small-signal series/parallel double-RC equivalent-network is a novel full mutual alternative for the resonant tunnelling diode quantum-inductance circuit model. Network optimisations to accurately match measured intrins
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f5e97fb7890f4272cc5a0027adb3d8c9
https://research.tue.nl/nl/publications/e19b856e-934d-4d26-a307-de3f34e89c8a
Zobrazit plný text záznamu
6
Three terminal double barrier resonant tunneling devices based on the direct contacting of the quantum well
Autor: Lepsa, M.I., Roer, van de, T.G., Kwaspen, J.J.M., Vleuten, van der, W.C., Kaufmann, L.M.F.
Publikováno v: Proc. 21st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits in Europe, WOCSDICE '97, 79-80
STARTPAGE=79;ENDPAGE=80;TITLE=Proc. 21st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits in Europe, WOCSDICE '97
Three terminal (31) Double Barrier Resonant Tunneling (DBR1) devices with the base contact to the quantum well have been fabricated from GaAs/AlAs material system. The plane of the very thin quantum well is reached using high selective etching proces
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::81d6c7c903a6489dbbcbfa1a405a0473
https://research.tue.nl/nl/publications/eafaddaa-8de6-4c42-bb03-df6090459699
Zobrazit plný text záznamu
7
Accurate equivalent-network modelling of GaAs/AlAs based resonant tunnelling diodes with symmetrical thin barrier and spacer layers
Autor: Kwaspen, J.J.M., Lepsa, M.I., Roer, van de, T.G., Vleuten, van der, W.C., Heyker, H.C., Kaufmann, L.M.F.
Publikováno v: Proc. 21st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits in Europe, WOCSDICE '97, 83-84
STARTPAGE=83;ENDPAGE=84;TITLE=Proc. 21st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits in Europe, WOCSDICE '97
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::f56b48115f3acda342aa41b015364deb
https://research.tue.nl/nl/publications/fc53de72-c472-49ed-93cc-e511f2887f55
Zobrazit plný text záznamu
8
Two and Three Terminal Double Barrier Resonant Tunneling Devices
Autor: Lepsa, M.I.
Publikováno v: Lepsa, M I 1997, ' Two and Three Terminal Double Barrier Resonant Tunneling Devices. ', PhD, Vrije Universiteit Amsterdam .
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f86c546d4023e61ce1f8c6e0ea67304e
https://hdl.handle.net/1871.1/970c408b-e241-43e4-aef5-6ecf46fe99ad
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje