Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"Leonelli, D"'
Autor:
Thesberg, M., Stanojevic, Z., Baumgartner, O., Kernstock, C., Leonelli, D., Barci, M., Wang, X., Zhou, X., Jiao, H., Donadio, G. L., Garbin, D., Witters, T., Kundu, S., Hody, H., Delhougne, R., Kar, G., Karner, M.
Publikováno v:
Solid-State Electronics, Volume 199, January 2023, 108504
Owing to the increasing interest in the commercialization of phase-change memory (PCM) devices, a number of TCAD models have been developed for their simulation. These models formulate the melting, amorphization and crystallization of phase-change ma
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2211.06084
Autor:
Thesberg, M., Stanojevic, Z., Baumgartner, O., Kernstock, C., Leonelli, D., Barci, M., Wang, X., Zhou, X., Jiao, H., Donadio, G.L., Garbin, D., Witters, T., Kundu, S., Hody, H., Delhougne, R., Kar, G., Karner, M.
Publikováno v:
In Solid State Electronics January 2023 199
Autor:
Vandooren, A., Leonelli, D., Rooyackers, R., Hikavyy, A., Devriendt, K., Demand, M., Loo, R., Groeseneken, G., Huyghebaert, C.
Publikováno v:
In Solid State Electronics May 2013 83:50-55
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2012 72:82-87
Publikováno v:
In Solid State Electronics November-December 2011 65-66:28-32
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
WALKE, AM, VANDOOREN, A, ROOYACKERS, R, LEONELLI, D, HIKAVYY, A, LOO, R, VERHULST, AS, KAO, KH, HUYGHEBAERT, C, GROESENEKEN, G, RAO, VR, BHUWALKA, KK, HEYNS, MM, COLLAERT, N, THEAN, AVY
Publikováno v:
IndraStra Global.
This paper presents a new integration scheme to fabricate a Si/Si0.55Ge0.45 heterojunction line tunnel field effect transistor (TFET). The device shows an increase in tunneling current with gate length. The 1-mu m gate length device shows ON current
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.