Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Lenkov S. V."'
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 4, Pp 36-38 (2008)
Dependence of brightness of thin-film electroluminescent indicators from structure of an active material and voltage and frequency of an electric source are investigated. By results of researche the optimum structure of an active material is chosen,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8d7e4d371d324ba7a88668f1b0d9d4ef
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 1, № 2 (2004); 58-62
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 1, № 2 (2004); 58-62
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 1, № 2 (2004); 58-62
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 1, № 2 (2004); 58-62
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 1, № 2 (2004); 58-62
The experiment on definition of influence texturing of a surface on the characteristics of silicon solar cells is described. The obtained results can be utilised at development or refinement of the production technology of silicon cells for increase
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Barabash, O. V., Lenkov, S. V., Lepikh, Ya. I., Balabin, V. V., Savchenko, V. A., Ploskonos, I. M., Slyunyaev, A. S.
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 7, № 3 (2010); 87-90
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 3 (2010); 87-90
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 3 (2010); 87-90
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 3 (2010); 87-90
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 3 (2010); 87-90
The universal model information object which can function in non-uniform information space developed on the basis of the final automatic device model is described.
Описано розроблену на основі моделі скінчен
Описано розроблену на основі моделі скінчен
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 4, № 1 (2007); 67-70
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 4, № 1 (2007); 67-70
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 4, № 1 (2007); 67-70
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 4, № 1 (2007); 67-70
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 4, № 1 (2007); 67-70
The comparative analysis optical phasometers with an orthogonal filtration and discrete processing of signals is carried out. Such phasometers advantages and defaults during their use for measurement semiconductors optical parameters are given.
Publikováno v:
2016 International Siberian Conference on Control & Communications (SIBCON); 2016, p1-4, 4p